p型ZnO及ZnO基发光器件研究进展

王建波; 李玉国; 张秋霞; 夏继周; 张月甫; 崔传文; 张敬尧

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六角纤锌矿结构ZnO是一种应用广泛的直接宽带隙(3.36 eV,300 K)半导体材料,其优异的光电、压电等性能使其成为近10年来全世界半导体研究的热点。综述了自1997年以来ZnO的p型掺杂以及ZnO基发光器件方面的研究成果,比较了不同方法制备的p型ZnO材料和发光器件的性能差异,分析了造成各种差异的原因,并针对当前研究提出了一些建议和预测。

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来源
《微纳电子技术》 |2007年第9期|857-862|共6页
作者
王建波; 李玉国; 张秋霞; 夏继周; 张月甫; 崔传文; 张敬尧;
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作者单位

山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所;

山东省青年管理干部学院;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.21;TN312.8;
关键词
半导体技术; p型掺杂; 综述; ZnO薄膜; 发光器件;

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