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基于LTE应用的160W AlGaN/GaN射频放大管

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随着无线通信技术的快速发展,LDMOS由于Si本身材料特性的限制已经逐渐不能满足移动通信系统对功放器件高效率、高功率密度、高线性度、高可靠性的需求.氮化镓材料具有宽禁带、高临界击穿电场强度,高的电子迁移率,高电子浓度、高JFOM、高热导率以及可以形成异质结等特性,因此氮化镓被认为是制备功率放大器最好的材料之一.而AlGaN/GaNHEMT器件以其优越的特性,在无线通讯基站和雷达系统等方面有巨大的应用潜力.在过去的几十年里,AlGaN/GaN HEMT领域在工艺、材料生长和器件性能方面取得了很大的进展.本文介绍了苏州能讯高能半导体公司的一款标称功率为160W的产品DXlH2527160.本文中产品的AIGaN/GaN结构采用MOCVD在SiC衬底上生长而得，其电子迁移率为2400cm2／vs。图1是0.1mm栅宽AIGaN/GaN HEMT器件的转移曲线，栅源电压Vgs=2V时器件的最大饱和漏极电流约为lA/mm。在漏源电压Vds=lOV的条件下，器件的峰值跨导为390mS/mm，阈值电压Vth为-1.5V。Vgs=-8V时，器件的击穿电压(漏极电流小于0.1mA/mm)Vbr大于200V。

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|125|共1页
会议地点苏州
作者
周梦杰; 宋晰; 张永胜; 裴轶; 张乃千;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类正交场放大管;
关键词
射频放大管; 氮化铝镓; 氮化镓; 长期演进;

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