机译:基于改进的负载调制网络的100MHz LTE高级应用的高效GaN Doherty功率放大器
State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University, Nanjing, China|c|;
Digital linearization; Doherty power amplifiers (PAs); GaN; high-efficiency amplifiers; long-term-evolution (LTE) advanced; wideband microwave amplifiers;
机译:高功率高效GaN HEMT Doherty基站应用放大器
机译:通过改进的负载调制网络增强Doherty功率放大器的带宽和退避范围
机译:具有串联负载的高效,低失真GaN HEMT Doherty功率放大器
机译:适用于100 MHz LTE先进应用的具有改进的负载调制能力的Doherty功率放大器
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:混合EF级和负载牵引技术的高效GaN Doherty功率放大器