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【2h】

A High-Efficiency GaN Doherty Power Amplifier with Blended Class-EF Mode and Load-Pull Technique

机译：混合EF级和负载牵引技术的高效GaN Doherty功率放大器

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This paper presents a new Doherty power amplifier (DPA) configuration that employs high-efficiency switched-mode Class EF as its Main and Auxiliary cells. A blended approach is proposed to design the load network of the PA cells, in which the fundamental-frequency load impedance is obtained through load-pull analysis whereas the harmonic load impedances are set according to the Class-EF requirements. Realized using GaN HEMTs, the DPA prototype exhibits a drain efficiency (DE) of 81% at 45-dBm peak power and 68% at 6-dB back-off power, i.e. when excited using a 2.4 GHz continuous-wave signal. The proposed DPA has a 3-dB bandwidth of nearly 300 MHz within which the DE can be maintained above 68.5%. Using 16-QAM signal with 5-MHz bandwidth and 6-dB peak-to-average power ratio, the DPA shows a DE of 69.7% and an ACLR1 of -26.6 dBc at an average output power of 39.2 dBm.
机译：本文介绍了一种新的Doherty功率放大器（DPA）配置，该配置采用高效的开关模式EF类作为其主电池和辅助电池。提出了一种混合方法来设计PA单元的负载网络，其中通过负载拉分析获得基频负载阻抗，而谐波负载阻抗则根据EF级要求进行设置。使用GaN HEMT实现的DPA原型在45 dBm峰值功率下（即在使用2.4 GHz连续波信号激励时）的漏极效率（DE）在45-dBm峰值功率下为68％，在6 dB补偿功率下为68％。提议的DPA具有接近300 MHz的3 dB带宽，在其中DE可以保持在68.5％以上。使用具有5 MHz带宽和6 dB峰均功率比的16-QAM信号，DPA在39.2 dBm的平均输出功率下的DE值为69.7％，ACLR1为-26.6 dBc。

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