基于谐波抑制的内匹配高效GaN功率放大器设计

张书源; 钟世昌

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基于谐波抑制的内匹配高效GaN功率放大器设计

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采用了内匹配技术和谐波抑制技术,设计并实现了一款3.8 GHz～4.2 GHz的功率放大器设计.该放大器采用南京电子器件研究所自主研制的的GaN HEMT管芯芯片.通过优化设计该放大器在10%的相对带宽、漏源电压28 V、10%占空比的脉冲输入的工作条件下,实现了输出峰值功率Pout大于40 W,漏极输出功率效率大于60%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景.

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来源
《电子器件》 |2019年第3期|608-612|共5页
作者
张书源; 钟世昌;
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作者单位

南京电子器件研究所;

南京210016;

南京电子器件研究所;

南京210016;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类放大器：按作用分;
关键词
内匹配; 高效率; 谐波抑制; 功率放大器;

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