基于大信号模型的L波段400W高效GaN功率放大器设计

钟世昌; 陈堂胜; 殷晓星; 周书同

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基于大信号模型的L波段400W高效GaN功率放大器设计

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文章阐述了用精确的GaN Angelov模型设计了一款L波段400W内匹配率放大器.选用SiC衬底的GaN器件是为了获得大功率输出以及高效率性能.为了精确设计放大器,采用脉冲I-V测试和多偏置的S参数测试建立起高压GaN大信号模型.采用模型设计的GaN放大器输入输出电路集成在17.4mm×24mm的封装管壳里.最终采用单枚55 mm栅宽GaN管芯设计的放大器在48V漏压,100μs脉宽,10％占空比偏置下在1.2～1.4GHz输出功率大于400W,功率增益大于15dB,最高功率附加效率达到81.3％,这是国内L波段400W微波功率放大器的最高效率报道,验证了模型的准确度,实现了极好的电路性能.

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来源
《电子学报》 |2020年第2期|398-402|共5页
作者
钟世昌; 陈堂胜; 殷晓星; 周书同;
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作者单位

东南大学江苏南京210096;

南京电子器件研究所江苏南京210016;

南京电子器件研究所江苏南京210016;

东南大学江苏南京210096;

南京电子器件研究所江苏南京210016;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN722.7+6;
关键词
放大器; GaN; 模型; 内匹配; L波段;

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