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强脉冲磁场下制备铜掺杂氧化锌稀磁半导体

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氧化锌等宽禁带半导体材料,经过掺杂可实现自旋特性与电荷特性的结合,可在高密度非易失性存储器、磁感应器、半导体集成电路、光隔离器件和半导体激光器集成电路以及量子计算机等领域有巨大的应用潜力.为便于实际应用,材料的居里温度须高于室温.目前已有许多研究报导了过渡族元素掺杂氧化锌具有室温铁磁性,但对于其磁性的来源依然存在争议,更有研究认为磁性来自于掺杂剂形成的磁性单质或第二相.因铜及其氧化物都不具有磁性,可被用来研究稀磁半导体的磁性机理.强磁场作为一种独特的极端手段用于各种材料的制备中,其中包括提高氧化锌稀磁半导体磁性的研究.本研究目的是通过脉冲磁场对铜掺杂氧化锌的影响行为研究,从另一角度认识氧化锌稀磁半导体的磁性机制.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|164-165|共2页
会议地点苏州
作者
张子豪; 塔里克; 胡业旻; 李文献; 朱明原; 李瑛;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21;
关键词
氧化锌稀磁半导体; 铜掺杂; 强脉冲磁场; 磁性机制;

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