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一种浅刻蚀台面的新型4H-SIC紫外单光子雪崩光电探测器

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本文报告了一种新型结构的4H-SIC雪崩单光子紫外光电探测器.应用于弱紫外探测的SIC雪崩光电探测器(APD)在军事以及航天等领域具有很大的潜在应用价值.从已经报道的文献来看,传统的基于4H-SIC材料的APD都是一种倾斜台面的结构,结构如下图一所示.SIC的APD之所以做成这种倾斜台面结构的目的主要是为了抑制器件边缘的场强聚集,从而使得器件能够正常工作于雪崩状态,而不至于过早击穿失效.然而这种传统倾斜台面结构的APD的一个很大的缺陷就是其器件的占空比很低,芯片的有效利用面积很小,在这种倾斜台面结构中,其倾斜台面部分对于光子的探测来说都是无效面积,而为了抑制边缘的场强聚集又必须要求器件的边缘做成一个很小倾角的倾斜台面(斜面与底面的夹角通常要小于10°,为了让场强更均匀甚至需要小于5°);这样在改善器件性能的过程中就遇到一个很大的矛盾.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|205-206|共2页
会议地点苏州
作者
李良辉; 周东; 杨森; 陆海;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类紫外技术及仪器;
关键词
紫外单光子雪崩光电探测器; 碳化硅; 浅刻蚀; 占空比;

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