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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

召开年：2006
召开地：广西北海
出版时间： 2006-11

主办单位：;中国电子学会;;

会议文集：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

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1.太赫兹半导体辐射源研究进展
- 曹俊诚
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：太赫兹(THz)辐射源是THz频段应用的由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点.本文简要介绍了THzQCL的研究进展.
2.高可靠性16×16 SOI热光开关阵列
- 李运涛;陈少武;余金中
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：文章在分析加热器对热光开关阵列可靠性的影响的基础上提出了一种新的热光开关阵列控制和驱动电路.分析表明,在假设加热器失效率为5％的情况下,新控制和驱动电路可以使16×16SOI热光开关阵列的可靠性从34.99％提高到92.30％.同时,采用引入控制信号预处理模式,使封装后的热光开关阵列输入输出端口数从34个减少到10个.在采用新的控制和驱动电路基础上,研制出高可靠性的16×16SOI热光开关阵列.
3.太赫兹速调管的发展
- 王勇;应敏
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：人们早就认识到,如果将现有的速调管(一种微波电真空器件)缩尺到微米量级,就可以产生太赫兹(THz)辐射.然而,由于传统加工技术的限制,无法制造出微米量级的谐振腔和微型的能发射极高电流密度的阴极,而使THz速调管的研究一直停滞不前.近年来,随着微加工技术的发展,上述两个技术瓶颈已相继得到解决,此项研究又重新被人们所重视,并发展成了一个很热门的研究课题.本文详细地介绍了这种新型的微加工电真空器件--THz速调管的工作原理、THz速调管谐振腔和场致发射碳纳米管冷阴极的微加工方法等.
4.ADS拟合法设计RF功率放大器
- 胡香荣;冯全源
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：RF功率放大器总是工作在大信号状态而放大管的大信号参数往往不能提供,在这种情况下,可以利用ADS拟合小信号S参数和静态I-V特性曲线的方法来设计RF功率放大器.仿真结果表明,该方法可以在没有大信号参数的情况下实现大信号RF功率放大器的设计.在频率1.58GHz-1.74GHz时,单管功放1dB压缩点增益＞10dB,1dB压缩点输出功率＞8dBm,电路保持稳定.
5.光子晶体垂直腔面发射激光器
- 鲁琳;许兴胜;裴为华;阚强;宋倩;陈弘达
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器的制备工艺、工作原理、基本特性和研究进展.光子晶体垂直腔面发射激光器是一种新型的半导体激光器,它具有大出光孔径、较高的出光功率、稳定的单模、多芯传输等特点,而且具有优良的热特性和高速调谐特性,可在二维光信息处理的GaAs基近红外波段激光器、面阵集成等方面具有很大的应用潜力.
6.X波段InGaP/GaAs HBT MMIC功率放大器
- 陈延湖;申华军;王显泰;刘新宇;吴德馨
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文报道了工作于x波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用IMECAS InGaP/GaAs HBT自对准工艺制作有源及无源器件,标准mmic工艺完成芯片减薄及背孔制作.电路采用RC并联网络提高电路的稳定性,在9.3Ghz,利用夹具测量,得到的小信号功率增益大于5dB,输入输出驻波比小于2.5.
- HBT;
- MMIC;
- X波段;
- 功率放大器;
7.AlGaInP/Si的键合研究
- 郭德博;梁萌;范曼宁;刘志强;王良臣;王国宏
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：键合技术是大失配异质材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.本文以金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面没有不良影响,截面的显微照片表明键合质量良好.反射谱测试表明键合合金层可以作为反射器,这一特征是AlGaInP发光器件与Si集成的有利条件.
8.大直径LEC薄片多线切割过程控制分析
- 郑红军;朱蓉辉;赵德刚
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：众所周知,采用LEC方式生长的砷化镓晶体内在应力大于其它生长方式约10倍左右,切割中如何降低"裂纹"断底":对其应力进行控制,已是目前大直径LEC薄片加工中重要问题,本文重点对光电子所需要的3-5英寸大直径LEC晶体,400微米以下薄片切割工艺中石墨几何形状对晶体受力进行分析,并提出一些改进措施,工艺试验均在U600线切割机上进行.
9.SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析
- 李连碧;陈治明;林涛;蒲红斌;李佳
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文用SEM和TEM对在SiC衬底上外延生长的SiCGe薄膜样品进行了结构分析.实验样品的衬底温度为980°C,生长时间1h.结果表明,该样品具有两种形状不同的岛状结构特征,一种是规则的球形结构,另一种是三角型层状堆叠结构.前者形状规则,在样品中占主导地位;后者具有锐利整齐的台阶状边缘,在样品中数量较少.衍射花样的标定说明球形岛为闪锌矿结构,而层状堆叠岛为面心立方结构,且EDS结果说明层状堆叠岛上的Ge含量和C含量分别为2.24％和50％.
10.PVT法SiC单晶生长过程中的晶型变化
- 刘博;陈治明;封先锋
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文报导对采用PVT法生长的6H-SiC单晶体切片的晶型和晶体结构的Raman光谱和X射线衍射谱分析.结果表明,采用含一定比例同质异晶型(Polytype)的6H-SiC籽晶生长的单晶体仍含有该种同质异晶型,但其比例在生长过程的不同阶段有明显变化.
11.碳化硅单晶体的切片、研磨和抛光
- 陈勇臻;陈治明
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：为了获得具有平整Si面的SiC晶片,使用线切割和机械磨抛的方法对6H-SiC(0001)晶锭进行加工.本文采用SEM和AFM对加工后获得的SiC晶片样品进行测试分析,结果表明:根据初步的加工工艺参数,可以使样品Si面的粗糙度小于0.4μm.结合切割和磨抛机理,本文还提出进一步改善加工效率和精度的方法,包括切割时x轴向进给速度上限、晶锭自转和研磨主盘转速下限和改善金刚石粒度均匀性.
- SiC晶片;
- 线切割;
- 研磨;
- 抛光;
12.ITO与p型SiCGe的接触特性研究
- 陈春兰;陈治明
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本论文利用直流磁控溅射系统在p型SiCGe和载玻片衬底上沉积ITO薄膜.研究不同工艺条件对ITO薄膜方阻、透过率及与p型SiCGe接触特性的影响.结果发现溅射功率为79.2W沉积的ITO薄膜透过率最高,可达88.15663％,方阻最低,为22.8Ω/□.以溅射功率为79.2W的工艺条件在p型SiCGe上沉积ITO薄膜,并研究其电压电流(I-V)特性与退火温度的关系.结果表明,在退火温度为400°C的退火条件下获得欧姆特性,同时ITO薄膜的最高透过率高达89.58761％,方阻为20.6Ω/□.
13.4H-SiC MESFET结构外延技术研究
- 李哲洋;董逊;柏松;陈刚;陈堂胜;陈辰
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,文中给出了部分器件测试结果.
- 4H-SiC;
- SEM;
- SIMS;
- MESFET结构;
14.P+多晶硅/P-4H-SiC异质结特性的研究
- 程小强;张玉明;张义门;张林
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用器件模拟软件ISE TCAD模拟了P+多晶硅/P-4H-SiC异质结的正反向特性,结果表明P+多晶硅/P-4H-SiC异质结体现出了良好的整流特性,具有低的正向开启电压和高的反向击穿电压.P+多晶硅P-4H-SiC异质结可以制成整流二极管.
15.粉源对大直径SiC晶体生长的影响
- 张群社;陈治明;封先锋;刘博
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文研究SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌:粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长
16.金属源化学气相外延法在c面蓝宝石上生长的ZnO膜及其表征
- 段垚;王晓峰;崔军朋;曾一平
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文利用Zn蒸气和H2O蒸气在高温下反应成功地在(0002)面蓝宝石衬底上沉积了厚达7-11 μm的高质量ZnO外延层,并发现利用预先由MOCVD低温生长的ZnO模板有助于改善外延层的结晶质量和形貌.XRD分析表明在ZnO模板上生长的ZnO膜消除了杂乱晶向,而且(0002)晶面的双晶X射线衍射摇摆曲线半高宽从2687 arcsec降低至295 arcsec.光学显微镜和扫描电镜(SEM)观察发现直接生长的样品表面呈岛状,粗糙度很大;使用模板后得到相对平坦的具有六角结构的表面.但模板对电学性质的影响仍然不太确定.
17.ZnO p-n结制备及其电注入发光
- 杜国同;吉林大学电子科学与工程学院;杨天鹏;朱慧超;李香萍;梁红伟;刘维峰;胡礼中;孙景昌;边继明;张宝林;马艳;吉林大学电子科学与工程学院;崔勇国;吉林大学电子科学与工程学院
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：我们采用自行设计的等离子体增强MOCVD系统,利用经特殊设计的反应室,以二乙基锌(DEZn)和O2作为锌源和氧源,分别通过几种途径,获得了p-ZnO薄膜.并且在此基础上,初步制备了ZnO的同质结器件,并观测到了电致发光.
18.ZnO微米棒的变温光谱和压力光谱
- 丁琨;苏付海;王文杰;李国华
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文研究了ZnO微米棒的变温光谱和压力光谱.室温下ZnO的光致发光谱由位于3.0 eV处的UV带和位于2.4 eV处的绿光带组成.低温下UV带呈现多峰结构,由中性施主束缚激子发光,自由激子发光及其声子伴线组成.低温下在绿光带的高能端可以观察到精细结构.表明绿光带与ZnO中的Cu2+杂质有关.室温下UV带和绿光带都随压力的增加而兰移.UV带的压力系数与ZnO体材料带隙的压力系数很相近,而绿光带的压力系数比文献报道的结果大很多.
19.4H-SiC TBS结构双极晶体管特性模拟
- 陈洪波;张义门;张玉明;汤晓燕
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文中,利用二维器件仿真软件Medici建立4H-SiC双极晶体管模型,并在此基础上,对4H-SiC TBS结构双极晶体管进行了模拟研究,结果显示共射极最大电流增益为47,击穿电压大于1000V.与普通结构的双极晶体管特性相比较,TBD结构双极晶体管显示出了该结构的优越性.
20.SiC外延工艺中的气体流体模型
- 贾仁需;张义门;张玉明;郭辉
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以使其表面气流分布均匀,有利于得到高质量的α-SiC外延片.
21.Bi3.25In0.75Ti2.97M0.03O12(M=Ti,Al,Co,In,Zn)薄膜的铁电与光学性质
- 贾彩虹;张伟风
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用化学溶液沉积法分别在LaNiO3(LNO)/Si和石英衬底上制备了Bi3.25In0.75Ti2.97M0.03O12(M=Ti,Al,Co,In,Zn)(BITM)铁电薄膜.分别用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、铁电测试仪和紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)光谱仪,对样品的微结构、铁电和光学性质进行了系统研究.XRD测试表明,BITM薄膜均为随机取向,没有明显的择优取向.AFM结果显示,BITM薄膜表面具有较大的粗糙度,且掺入Al、Co、In、Zn等离子后,颗粒尺寸明显减小.铁电和UV-VIS-NIR结果表明,掺入Al、Co、In、Zn后,薄膜的剩余极化强度、矫顽场和能隙宽度都明显减小;剩余极化强度和矫顽场变小的程度与受主杂质的价态、离子半径和电负性有关,而能隙宽度的减小程度与掺杂原子的序数密切相关.
22.低温SiGe异质结构的热处理行为
- 马通达;屠海令;成步文;冯泉林;邵贝羚;刘安生
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文利用超高真空化学气相沉积法(UHVCVD)在Si衬底上生长了具有低温SiGe层的SiGe/Si异质结构(低温SiGe异质结构,LT-SiGe),对此结构的热处理行为进行了研究.低温SiGe层的引入使生长态的LT-SiGe发生了部分应变弛豫.热处理使LT-SiGe表层发生氧化和Ge原子的扩散,并导致经750°C 5分钟热处理的LT-SiGe样品的高分辨X射线衍射峰发生异常移动.低温SiGe层将位错限制在SiGe层下界面附近,从而降低了SiGe层中的穿透位错密度.
23.应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响
- 王琦;朱顺明;顾书林;施毅;张荣;王荣华;夏冬梅;郑有炓;韩平;俞慧强;梅琴;谢自力;修向前
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文用化学气相沉积(CVD)方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜(SEM)方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,拉曼散射光谱(Raman)和X射线衍射(XRD)测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.
24.Si上Si1-xGex:C缓冲层的载流子分布
- 夏冬梅;顾书林;施毅;张荣;郑有炓;王荣华;王琦;韩平;梅琴;陈刚;谢自力;修向前;朱顺明
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文用化学气相淀积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.
25.硅基异质结N-SiOxNy/N-Si二极管的IV特性分析
- 许铭真;谭长华
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：N-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽隙带(Eg=9eV)N-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,N-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数ln(t)随着应力电压、应力环境温度的增加而减小并呈近似的线性关系.N-SiOxNy的中的双施主能级是一种施主型的双缺陷能级,当电应力引导的施主缺陷密度达到1.26×1020 cm-3时,SiOxNy绝缘薄膜呈现N型半导体导电特性.在N-Si或P-Si衬底上形成的硅基异质结N-SiOxNy/N-Si或N-SiOxNy/P-Si二极管的IV特性具有饱和性质,在电压大于1V的电压区,I-V特性可以用1eV势垒的FN隧道机制来描述.当衬底Si的掺杂增加时,势垒高度下降.
26.采用楔形连接波导和自对准反射镜的8×8阻塞型热光开关
- 李智勇;李运涛;陈少武;余金中
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文通过改进热光开关单元和全内反射镜,设计和制作了基于SOI材料的8×8阻塞型热光开关矩阵.开关设计中,在单模波导和多模干涉耦合器之间引入楔形连接波导并进行优化,增大单模波导与多模波导之间的藕合效率,减小开关单元的损耗.此外,采用自对准方法提高全内反射镜的光刻容差.开关矩阵各端口的平均插入损耗约为21 dB,单个反射镜引起的附加损耗约为1.4 dB,串扰少于-21 dB.实验结果说明新设计改善了开关器件的整体特性,且与理论分析一致.
27.硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案
- 陈少武;屠晓光;余和军;樊中朝;徐学俊;余金中
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文讨论硅基微钠光子器件制备过程中涉及的几个导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密问题.这些问题影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.
28.应变Si(001)的价带结构
- 周林;张鹤鸣
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文基于k·p微扰理论,考虑了自旋轨道耦合与应变因素,运用数值方法解得应变Si(001)的价带E-k关系表达式.通过计算分析,得到了应变Si价带结构以及双轴张应变与Si价带结构的关系.
29.相同剂量的δ掺杂层分布对应变硅nMODFET的影响
- 周林;张鹤鸣
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文运用二维器件仿真软件MEDICI模拟了δ掺杂层中同掺杂剂量下各种掺杂分布对应变Si-n型MODFET的影响,模拟过程中讨论了均匀分布、高斯分布两种情况.为了增加结论的准确性,模拟过程使用了对文献数据进行拟和得出的应变硅的电子解析迁移率模型.通过模拟结果表明,在总剂量一定的情况下,δ掺杂层电子峰值浓度越高,漏电流、跨导和截止频率相应地会越高,但器件的亚阈特性会越差.
30.非晶/微晶硅两相薄膜的电导机制
- 孔光临;郝会颖;刁宏伟;石明吉;曾湘波;廖显伯
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文在已有的非晶/微晶硅薄膜的生长和结构模型的基础上,根据有效介质理论提出微晶硅的电导机制是:3维孵化层电导与2维微晶柱电导的并联.基于这一导电机制较好地解释我们的实验结果.
31.用于产生微波信号的分布反馈激光器与Y形波导单片集成器的研究
- 王路;谢红云;赵玲娟;潘教青;周帆;边静;王鲁峰;朱洪亮;王圩
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(Distributed Feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB激光器之上时,从Y形波导端输出光波长在1565 nm附近,边模抑制比(Side Mode Suppression Ratio,SMSR)大于30 dB.当大于阈值且相差大于20 mA的两个电流同时加载到两段DFB激光器上时,从Y形波导端输出的光谱具有双模分布,双模频率的差值可以拍频产生微波频段的信号.通过调节两段DFB的注入电流,微波信号的频率可以在13GHz至42GHz之间快速连续调谐.这种基于Y形波导的两段DFB并联的拍频光源比较传统的双段级联DFB器件有较好的光学和电学隔离,可以作为光学拍频源的一种新的实现方法.
32.带边工作的光子晶体平板的设计与制作
- 唐海侠;王启明
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：光子晶体的带边群速度反常特性可以用于放大一些光学过程,从而在光电子学领域中具有广泛的应用前景.本文以SOI材料为例,利用3D PWE法对带边工作的光子晶体结构参数进行设计,采用电子束曝光和ICP刻蚀方法结合在SOI衬底的顶层Si上刻蚀三角晶格的空气孔形成光子晶体结构.并通过透射特性测量得到了带边的位置,发现与设计值存在一定的偏差,主要是实际制作的空气孔尺寸比设计值大的缘故.通过在同一样品上制作一组晶格常数相同,孔半径不同的光子晶体结构,得到了带边位置位于1548nm波长的光子晶体,这与设计的1550nm基本相符.
33.AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取
- 刘丹;陈晓娟;罗卫军;李诚瞻;刘新宇;和致经
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文利用国际通用的coldFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,并用仿真软件ADS(Advanced Design System)建立HEMT小信号等效电路模型,对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.
34.一种低成本长距离有源UHF射频标签的设计研究
- 陶慧斌;梁峰;邵志标
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文简明分析了UHF频段的有源射频标签所涉及高灵敏和低功耗的接收电路,简单易行的发送电路以及超低功耗的基带处理电路.进行了设计验证,给出基于此结构的标签的各项实验测试结果.
35.37.5Gbit/s并行光发射模块的研制
- 唐君;陈弘达;裴为华;贾九春;周毅
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文制作并测试了12信道总传输速率为37.5 Gbit/s的高速并行光发射模块,其中单信道传输速率为3.125 Gbit/s.模块采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为光源.耦合过程采用了一种利用倒装焊设备进行激光器阵列与列阵光纤之间的无源对准耦合的方法.在单信道8mA的工作电流下,可以得到3.125Gbit/s的清晰眼图.
36.430mm×430mm大面积光刻机研制
- 杨春利
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文重点介绍了新近研制开发的适合国内外半导体相关行业需求的大面积光刻机的设计方案、总体结构组成、工作原理及技术措施.该设备可根据用户不同使用需求进行掩模变换,实现不同特殊尺寸要求基片的接近/接触式曝光,套刻对准方式采用了高精度CCD图像定位与精密工件台的精确位移实现精确对准,工件台采用方形精密导轨,可对50mm～430mm范围内的基片对准标记进行套刻对准,操作快捷简便,适用范围广.
37.URE-2000S系列双面光刻机研制
- 马平;杨春利;胡松
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文首先简要介绍了URE-2000S系列双面光刻机的研制背景及总体性能,然后着重介绍了URE_2000S系列双面光刻机的工作原理、系统组成及结构特点.
38.基于热电模型的多发射极功率HBTs非均匀发射极镇流电阻设计
- 金冬月;张万荣;邱建军;高攀;萧莹
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.我们发现对于采用均匀发射极镇流电阻的功率HBT,芯片中心发射极条温度很高,进而限制了器件的功率处理能力.因此我们提出非均匀发射极镇流电阻设计方案,并以12指Si0.8Ge0.2HBT为例,详细地给出了非均匀发射极镇流电阻设计过程.结果表明,在总发射极镇流电阻阻值(各指发射极镇流电阻并联值)不变的情况下,非均匀发射极镇流电阻设计与传统的均匀设计相比,芯片中心结温显著降低,芯片表面温度趋于一致,大大提高了HBT的功率处理能力.同时我们发现当各指发射极镇流电阻阻值从芯片边缘到中心按e指数分布时,多发射极功率HBT的芯片表面温度趋于平均.e指数分布的提出可大大降低非均匀发射极镇流电阻优化时间,为功率HBT的设计提供指导.
39.二维光子晶体耦合腔阵列的慢波效应研究
- 杜晓宇;郑婉华;任刚;王科;邢名欣;马小涛;陈良惠
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文设计了一种六角晶格二维光子晶体耦合腔阵列,其能带结构表现出新奇的特性.处于禁带中的耦合缺陷腔模的色散曲线在光子晶体平面内所有方向更加平坦.模拟了横电波沿ΓK方向的透射谱.与光子晶体单缺陷腔相比,耦合腔阵列结构的缺陷腔模透射率提高三个量级以上,而群速度降低为原来的1/10,得到0.007C的结果.该慢波效应对于构造微型可调谐光延迟器和低阈值光子晶体激光器都是非常重要的.
40.一种双色量子阱红外探测器顶部光栅的设计及优化
- 王科;郑婉华;马小涛;任刚;杜晓宇;邢名欣;陈良惠
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用三维时域有限差分算法(3D-FDTD)对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)的顶部光栅结构的光场分布进行了仿真分析,得到了多种不同周期、占空比、深度的二维光子晶体结构耦合效率及电磁场分布.设计了一种双色8μm/12μm探测器的光栅结构,可同时对双波段提供较高的耦合效率.
41.InGaAs/AlAs共振隧穿二极管与InGaAs/InAlAs高电子迁移率晶体管在InP衬底上的单片集成
- 马龙;张杨;戴扬;杨富华;曾一平;王良臣
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 GHz.栅长为1um的HEMT截至频率19.8 GHz,最大跨导237 mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.
42.毫米波单片功率放大器脉冲测试系统的建立与应用
- 张健;李凌云;顾建忠;孙晓玮
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文提出并搭建了一套可用于毫米波功放芯片(MMIC)功率测试的脉冲测量系统,对于未封装的裸片可实现在片测量;对于已经封装好的芯片,可以免除添加大散热片的工作.对实际的Ka波段功率芯片做了在片测试,在相应的工作频带上,芯片工作正常,最大峰值电流超过1安培,最大输出功率分别提高了2dBm.
43.电子束光刻及深紫外光刻制作硅基光子晶体的对比研究
- 王春霞;许兴胜;韩伟华;杜伟;宋倩;胡海洋;陈弘达
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：随着电子束光刻及深紫外光刻的方法更多的应用到纳米光子器件制作中,使得光器件的体积大大缩小,越来越多的功能可以集成到同一个光子集成回路中.本文深入的研究了电子束光刻工艺方法及深紫外光刻工艺方法的基本原理及工艺过程,并同时将这两种方法应用到通信波段光子晶体的制作中,通过工艺参数优化,都得到了较好的硅基光子晶体样品.
44.电子束重复增量扫描曝光技术的研究
- 孔祥东;东营职业学院科研处;冯圣玉;卢文娟;张玉林
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文提出了电子束重复增量扫描曝光技术新概念.文中对吸收能量密度与深度和曝光剂量之间的关系、溶解速度与吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现溶解速度随曝光剂量增加而增大.以此为依据,在SDS-3型电子束曝光机上采用20keV能量的电子束对570nm厚的聚甲基丙烯酸甲酯进行了重复增量扫描曝光实验,显影后得到了轮廓清晰的梯锥和圆锥三维结构,证明了电子束重复增量扫描曝光技术的可行性,为电子束加工三维结构提供了新工艺.
45.小规模CMOS集成电路可靠性快速评价新方法的研究
- 刘鹏飞;郭春生;李秀宇;李志国
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：CMOS集成电路由于自身的优秀的性能,已经广泛的应用在各个领域,伴随着电子产品功能的不断增强,集成电路复杂程度的逐步提高,其质量和可靠性也成为人们普遍关注的焦点.本文对CMOS集成电路可靠性评价技术进行了探索,改进了一种评价方法,通过直接建立器件失效敏感参数退化率与应力水平之间的关系,就可以由单支样品的数据,提取器件某一参数退化所对应的激活能,并外推其正常使用条件下的寿命.
46.导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET
- 柏松;陈刚;李哲洋;张涛;汪浩;蒋幼泉
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参致的不同是造成微波性能差异的主要原因.
47.硅基3C-SiC热氧化机理研究
- 赵永梅;孙国胜;刘兴昉;李家业;赵万顺;王雷;罗木昌;李晋闽
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.采用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050°C.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.
48.硅(Si)衬底上碳化硅(SiC)薄膜的快速生长
- 李家业;赵永梅;刘兴昉;孙国胜;王雷;赵万顺;罗木昌;曾一平;李晋闽
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上进行了SiC的快速外延生长.对得到的SiC外延膜用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)进行了分析.探讨了生长速度与反应气体流量的关系,HCl在反应过程中的机理,以及在快速生长条件下,外延膜的结晶和取向关系.
49.N-SiC欧姆接触的研究进展
- 张娟;柴常春
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题.此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金属结构被用来制备性能良好的接触.
50.4H-SiC MESFET器件的制备与性能研究
- 宁瑾;张杨;刘忠立
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/80μm和2μm/2mm,其中0.5μm/80μm的MESFET器件的漏极电流密度最高,频率特性最好.在漏源电压Vds=10V时,它的漏极电Ids约为14mA,电流密度为175mA/mm,最大跨导为25mS/mm,fT=3.5GHz,fmax=7GHz.
51.SiC MESFET器件工艺研究
- 陈刚;柏松;张涛;汪浩;李哲洋;蒋幼泉
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管.
52.N型4H-SiC同质外延生长的工艺过程研究
- 闫新强;张玉明;张义门;王悦湖;马格林
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点,特别是SiC的外延生长,更是人们关注的方向.本文详细描述了我们实验室从EPIGRESS AB公司引进的水平热墙CVD设备,生长外延层的主要工艺,改进的措施.逐步控制和位竞争外延被我们应用到生长稳定的外延层中.最后,生长参数包括气流速率,碳硅比,生长温度和压强对于生长率和厚度,掺杂均匀性的影响被讨论.
53.台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响
- 刘兴昉;中国科学院传感技术国家重点实验室;曾一平;孙国胜;李晋闽;赵永梅;宁瑾;王雷;赵万顺;罗木昌;李家业
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、＃2、＃3和＃4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器＃1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n-层和n+衬底组成,在探测器＃1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透明Pt层、透明Pt层和p+层、透明Pt层和p+层以及p层制备出探测器＃2、＃3和＃4.器件的紫外光响应谱表明,紫外响应率最好的是探测器＃2,其次是探测器＃4、＃1、＃3,其中探测器＃2比其它类型的探测器响应率高1个数量级;4种类型的探测器峰值响应位置各不相同,其中探测器＃1位于341nm处,探测器＃2、＃3和＃4分别在312nm、305nm和297nm处.
54.大直径6H-SiC晶体PVT法生长感应加热系统有限元分析
- 张群社;陈治明;封先锋;刘博
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及生长晶体温度场的影响;分析比较了线圈取不同高度和匝间距时晶体生长面径向温度梯度的变化.结果表明:在中频电源的输出功率和频率固定,盲孔内径不变的情况下,通过调整线圈匝间距和高度可以减小晶体生长面径向温度梯度,提高了晶体的质量,同时使晶体有比较高的生长速率.
55.重掺Al3+对ZnO薄膜光学性能的影响
- 袁庆亮;李燕;李金丽;薛书文;韦敏;邓宏
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文利用射频磁控溅射方法,在Si基片和玻璃基片上制备Al3+掺杂浓度10％-40％的ZnO薄膜,并测试了薄膜的透射谱和光致发光谱.随着Al3+掺杂浓度的提高,ZnO薄膜的吸收边向短波长方向蓝移;当Al3+掺杂浓度达到20％以后,吸收边基本稳定在314nm左右;光致发光谱中,在355nm附近有很强的紫外发射,深能级发光峰的位置随着Al3+掺杂浓度的不同有所差异.
56.ZnO:LiCl/P-Si薄膜中的施主-受主发光
- 刘磁辉;徐小秋;钟泽;付竹西
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在P-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600°C、O2-900°C热退火处理.在77K～325K温度范围作电流～温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DLTS测量获得两种试样中存在一个稳定的深能级中心.I-T测量证实这个深能级中心是与氧化锌的本征缺陷相关.室温PL谱测量得到两种试样存在较强的深能级发光,而紫外发光较弱.由实验结果推测,试样主要的深能级发光过程是电子从双离化Zni施主能级向单离化Vzn'受主能级的跃迁.在O2气氛退火作用下深能级的发光强度增强.
57.用PLD方法制备Li掺杂的P型ZnMgO
- 仇明侠;叶志镇;顾修全;何海平;朱丽萍
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文在玻璃衬底上用PLD的方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4at％的P-型Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验得出:在500°C时薄膜的电学性能最好,其载流子浓度为5.1×1018 cm-3,电阻率为6.58Ωm,霍尔迁移率为0.189cm2/v.s.而且制备出的薄膜在可见光区具有90％的高透射率及在室温下光学禁带宽度3.625ev.
58.ZnO材料的带边光致发光研究
- 何海平;叶志镇;唐海平;黄海辉;陈兰兰;朱丽萍;赵炳辉
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用变温PL谱方法研究了四种不同ZnO材科室温带边发光峰(NBE)的起源.根据具体材料的不同,在NBE中占主导地位的跃迁可能有激子复合,自由电子-中性受主跃迁,包含深能级中心的施主-受主对复合,以及声子伴峰.本文的结果有助于对ZnO材料室温NBE起源的判断和对ZnO材料中缺陷行为的研究.
59.生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响
- 卢洋藩;叶志镇;曾昱嘉;徐伟中;朱丽萍;赵炳辉
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.
60.PLD法制备锑掺杂p型ZnO薄膜
- 潘新花;叶志镇;朱丽萍;顾修全;何海平
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明ZnO薄膜呈p型导电特性,XPS分析表明Sb掺入了ZnO薄膜,且Sb掺入ZnO中是占据Zn的位置,而不是O的晶格位置.通过优化温度获得了电学性能优良的p型ZnO薄膜,其电阻率为2.21Ωcm,迁移率为1.23 cm2/V.s,空穴浓度为2.30×1018 cm-3.
61.脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性
- 张银珠;叶志镇;吕建国;何海平;顾修全;赵炳辉
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ωcm,迁移率为0.17cm2/Vs,空穴浓度为9.12×1018 cm-3.PL谱测试发现了与Li受主和N受主态相关的发光峰,其受主能级分别约为120meV和222meV.由p-ZnO:(Li,N)薄膜制备的ZnO同质p-n结具有整流特性.
62.MgxZn1-xO合金的相结构转变和光学性质
- 吴春霞;江苏大学光子制造科学中心;吕有明;申德振;范希武;周明;蔡兰
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文利用等离子辅助分子束外延(P-MBE)技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了MgxZn1-xO(0≤x≤0.65)合金薄膜,其x值分别为0,0.11,0.28,0.44,0.51,0.65.X射线衍射测量表明,随着x增加到0.28,只在2θ为34.46-34.67°的位置观察到(002)衍射峰,表明样品为单一六角纤锌矿结构的MgZnO合金.当x值增加到0.44时,观察到了MgxZn1-xO的相分离.当x值增加到0.65时,MgZnO合金完成了从单一六角纤锌矿结构向立方向结构的转变.通过对样品的光致发光谱、吸收谱的测量,详细的研究了上述样品的相结构转变对其光学性质的影响.
63.Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的性质研究
- 修向前;李斌斌;张荣;陈琳;谢自力;韩平;施毅;郑有炓
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用溶胶-凝胶法制备了具有高温铁磁性的Ni掺杂ZnO DMS粉末.研究表明,当掺杂浓度小于5％时,样品中没有第二相.微观结构和磁学性质研究认为,样品中存在的结构有:主要的铁磁性的(Zn,Ni)O,一些顺磁性的孤立Ni原子,以及可能存在微量的Ni团簇.而样品的宏观铁磁性主要来源于具有铁磁性的(Zn,Ni)O结构,居里温度约为650K.
64.半绝缘6H-SiC单晶的生长研究
- 宁丽娜;胡小波;陈秀芳;李娟;王英民;姜守振;徐现刚
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文用升华法生长出了电阻率高达1.8×1010 Ωcm的半绝缘6H-SiC体块晶体.用二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry-SIMS)、辉光放电质谱(Glow Discharge Mass Spectroscopy-GDMS)测量了晶体和原料中的杂质浓度,包括硼、铝、钒.结果表明钒的浓度会影响生长晶体的质量.
65.ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟研究
- 刘松民;顾书林;朱顺明;叶建东;刘伟;张荣;郑有炓
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量,动量,质量和物种守恒方程,本文主要研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZnO的分布的影响,并研究了不同的衬底位置对生长速率的影响.计算结果给ZnO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据.
66.900°C空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响
- 王东;张景文;韩峰;张新安;河南大学物理与信息光电子学院;毕臻;边旭明;侯洵
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,对生长的薄膜在空气中进行900°C退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性进行x射线衍射(XRD)、变温光致发光(PL)研究.退火处理后的ZnO薄膜(0002)面XRDθ-2θ扫描曲线强度明显增强.在光致发光实验中,观测到薄膜分别在369nm、375nm和383nm附近3个明显的近紫外发光峰.随着温度升高,峰位逐渐向长波方向移动(即所谓"红移"),半高宽(FWHM)逐渐展宽;在发光谱中,来自于晶体缺陷的深能级(DL)区发光强度极小.
67.SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管
- 张新安;河南大学物理与信息光电子学院;张景文;王东;毕臻;边旭明;张伟风;侯洵;河南大学物理与信息光电子学院
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：在NH3和O2的混合气氛下,本文采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备氮掺杂ZnO薄膜,XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的C轴择优取向性,(0002)面摇摆曲线的半峰宽仅为1.89°;并在此基础上制备了以氮掺杂ZnO薄膜为沟道层、以SiO2为绝缘层的底栅式薄膜晶体管,电学测试表明该晶体管工作在N沟道增强模式,阈值电压为5.15V,电流开关比为104,电子的场迁移率达到2.66 cm2/V·S.
68.Co搀杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性
- 刘国磊;曹强;邓江峡;邢鹏飞;田玉峰;陈延学;颜世申;梅良模
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：我们系统地研究了Co搀杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.本文利用分子束外延(MBE)的技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co搀杂的Zn(1-x)CoxO(0 ≤ x ≤ 0.12)单晶薄膜.光透射谐和原位的X光电子能谱(XPS)显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn(1-x)CoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co搀杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.
69.非故意掺杂ZnO薄膜中受主行为的研究
- 曾昱嘉;叶志镇;卢洋藩;徐伟中;朱丽萍;赵炳辉
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用等离子体辅助金属有机物化学气相沉积法在不同衬底上生长非故意掺杂p型ZnO薄膜.最佳电阻率为12.7 cm,空穴浓度为1.88×1017 cm-3,迁移率达2.6 cm2/V s.二次离子质谱测试表明薄膜中的氧含量在等离子体生长的ZnO中显著增加.通过变温光致发光谱研究了ZnO薄膜中的受主行为.
70.铒镱共掺杂氧化锆纳米粉末的上转换发光
- 金红;大连理工大学物理系
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用复合沉淀法制备了0.5 mol％ Er3+和0-5 mol％ Yb3+共掺杂ZrO2上转换发光粉.使用980nm LD作为激发源,室温下即可观测到峰值位于518、538～550和655 nm处的上转换绿光和红光,分别对应于Er3+的2H11/2、4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2跃迁.在Er3+∶Yb3+=1∶10的条件下得到最大上转换红绿光强度.随着Yb3+共掺杂浓度增加,上转换红、绿光强度比IRed/IGreen随之增加.在Er3+-Yb3+共掺杂ZrO2中,交叉驰豫4F7/2+4I11/2→4F9/2+4F9/2和能量传递2F5/2(Yb3+)+4I13/2(Er3+)→2F7/2(Yb3+)+4F9/2(Er3+)过程是红色上转换发光显著增强的主要机制.
71.m面蓝宝石衬底上ZnO外延薄膜的性能研究
- 崔军朋;段垚;王晓峰;曾一平
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用自行研制的CVD设备在m面蓝宝石衬底上成功生长了微米级的ZnO外延薄膜.采用X射线衍射(XRD)和双晶X射线摇摆曲线(DXRD)研究了所生长ZnO薄膜的结构特征.利用扫描电子显微镜(SEM)观测了ZnO样品的截面,并测得了其厚度.同时利用室温光致发光(PL)谱及霍尔(Hall)测试研究了ZnO外延薄膜的光学性质和电学性质.
72.生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响
- 王晓峰;段垚;崔军朋;曾一平
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文利用金属蒸气作为气源的气相外延技术(MVPE)直接在c-面兰宝石衬底上外延生长ZnO膜.研究了生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响.实验结果表明,在低的生长温度(610°C)下,ZnO膜以(114)晶向择优生长;在较高的生长温度下,得到了以(002)晶向择优生长的ZnO膜;在638°C得到了单晶ZnO膜,DCXRD摇摆曲线的半高宽为1200 arcsec.随着生长温度的升高,样品表面有大的晶粒形成,变得粗糙.通过进一步地优化生长工艺,利用该MVPE生长技术能得到快速生长的ZnO单晶厚膜,用于ZnO和GaN外延生长的衬底材料.
73.氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响
- 马晓翠;深圳市特种材料重点实验室;柳文军;深圳市特种材料重点实验室;朱德亮;深圳市特种材料重点实验室;曹培江;深圳市特种材料重点实验室;江宗章;萧活杰
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在Si(100)衬底上沉积出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.实验发现随着O2/Ar+O2比的增加,薄膜的沉积速率下降.O2/Ar+O2比对薄膜结晶状态有明显影响,O2/(Ar+O2)比约为0.45,薄膜结晶质量较好.
74.ZnS/PS复合体系的白光发射
- 王彩凤;李清山;齐红霞;赵波;吕磊;张立春
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文用电化学方法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法以多孔硅为衬底生长一层ZnS薄膜.ZnS的带隙较宽,对可见光是透明的,用适当波长的光激发,PS发射的橙红光可以透过ZnS薄膜,与ZnS的蓝绿光相叠加,得到了可见光区较宽的光致发光带,呈现较强的白光发射.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了ZnS薄膜的结构性质,结果表明,沉积的ZnS薄膜结晶质量良好,薄膜表面出现一些凹坑,这是PS的表面不平整所致.
75.用于太阳电池吸收层Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电特性
- 付玉军;张军;兰州大学物理科学与技术学院;贺德衍;邵乐喜
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2/ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104 cm-1、光学禁带宽度约为1.51 eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载流子浓度分别为1.46Ωcm、4.2 cm2/VS、2.37×1018 cm-3,适合作为薄膜太阳电池的吸收层.
76.辐照对SiGe HBT增益的影响
- 孟祥提;王吉林;黄强;贾宏勇;陈培毅;钱佩信
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益的变化.在Vbe≤0.5 V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的d(β)反而为负,在Vbe≥0.5 V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.本文参照测得的一些电子陷阱讨论了辐照致性能变化.
77.应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化
- 薛春来;时文华;成步文;姚飞;王启明
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：高频大功率HBT作为无线和射频通讯PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定高的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.本文模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度,厚度,基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.
78.并行光收发模块与光互连
- 陈雄斌;唐君;周毅;裴为华;刘博;陈弘达
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文以GaAs基VCSEL列阵为光源成功研制出12路并行光发射模块,总速率达到了37.5Gbps;以GaAs基12路PIN探测器列阵为接收单元研制出响应速率达30Gbps的12路并行光接收模块;采用并行光收发模块研制出并行光传输系统,其系统传输速率达到10Gbit/s.该并行光发射和接收模块以及并行光传输系统能用于高性能计算机等系统的光互连.
79.基于波导技术的C波段空间功率合成放大模块研究
- 武锦;阎跃鹏;刘新宇;李井龙;陈晓娟
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：在本文中我们详细介绍了C波段(3.7～4.2 GHz)空间功率合成器的基本结构和设计考虑,采用一种简单实用的双鳍Arc槽状天线作为功分和功合为MMIC PA管提供输入和输出功率,最终得到了1×2结构的空间功率合成器在C波段输出6W的功率,增益为10dB,合成效率达到了75％.本文是国内第一篇详细报道C波段空间功率合成放大模块的结构及设计的文章.
80.功率型倒装结构LED系统热模拟及热阻分析
- 王立彬;刘志强;陈宇;伊晓燕;马龙;潘领峰;王良臣;李晋闽
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文对功率型倒装结构LED系统进行了有限元热模拟,同时结合传热学基本原理分析了各部分的热阻.结果表明,LED系统中凸点,Si-submount,管壳和散热体的自身热阻较小,而与凸点的分布有关的芯片热阻较大,选择不同的粘结剂其热阻也有很大的差别;散热体-环境的热阻很大,占系统热阻主要部分.本文的分析结果对LED的散热设计具有理论指导意义.
81.YIG滤波器的补偿电路设计
- 邹丹
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文介绍YIG滤波器主要性能及其在应用中所需的驱动电路设计方法,重点介绍了YIG滤波器的磁滞、非线性和温度飘移等非理想特性及其补偿与校正方法.
82.两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析
- 林玲;中国科学院研究生院;徐安怀;孙晓玮;齐鸣
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8GHz和10GHz.
83.磁控溅射SiC薄膜及其光电特性研究
- 周继承;郑旭强
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文用射频磁控溅射法制备了SiC薄膜,并对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜的表面形貌,测量了薄膜的厚度与透射光谱.用J.C.Manifacier提出并由R.Swanepoel加以修正和完善的包络线法对薄膜透射光谱进行了分析计算,并结合Tuac公式确定了薄膜的光学带隙.结果表明:在低功率下可制备出表面平整,吸收系数小,光学带隙大的薄膜;增加沉积气压,薄膜吸收系数增大,光学带隙减小;退火处理后薄膜的吸收系数减小,光学带隙增大.
84.PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列
- 顾修全;朱丽萍;叶志镇;何海平;张银珠;赵炳辉
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30～50 nm、长度约为60 nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70 nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中的带边发射峰相对于纯ZnO薄膜都发生了不同程度的偏移,表明了Mg组分的掺入改变了ZnO的晶格常数和带隙宽度.分析了MgxZn1-xO纳米柱的生长机制.
85.溅射压强对直流磁控溅射ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响
- 马全宝;朱丽萍;叶志镇;何海平;王敬蕊;赵炳辉
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积薄膜的最低电阻率可达4.48×10-4 Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90％.
86.Li-Er共掺ZnO薄膜光致发光的研究
- 朱丽萍;顾修全;叶志镇;张银珠;赵炳辉
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用脉冲激光沉积法(PLD)在SiO2/Si衬底上分别生长了单独掺铒和锂铒共掺的ZnO薄膜.为了分析比较这两种薄膜的结构、光学等性能,我们对样品先后做了XRD、FESEM、EDX、PL谱和Raman散射谱等测试.结果发现,制备得到的薄膜具有较好的c轴取向性.单掺或共掺的薄膜在850°C的高温退火处理后能观察到与Er3+的4f壳层内部跃迁相关的发光;共掺薄膜1540nm处的发光要比单掺薄膜强的多.本文将对这些现象的产生机制作一定的分析.
87.气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制
- 魏学成;赵有文;董志远;李晋闽
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文对化学气相传输法(CVT)生长ZnO单晶的传输过程、动力学和生长机理进行了研究.分析了CVT法的传输机理、效率以及温场对传输速率和晶体生长的影响.利用气相-固相单晶成核和生长动力学理论研究了制约单晶生长速度和晶体质量的因素.我们得到的不同条件下ZnO单晶CVT生长的实验结果和现象与理论分析一致,获得了ZnO单晶生长的理想条件和高质量的大尺寸ZnO单晶材料.
88.PLD方法制备n-ZnO/p-Si光电二极管的特性研究
- 齐红霞;李清山;赵波
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文利用脉冲激光沉积方法(PLD)在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,制备n-ZnO/p-Si光电二极管,研究了衬底温度对二极管光电效应的影响.结果表明,在400°C,500°C,550°C和600°C下生长ZnO制备的二极管都有一定的整流特性,反向暗电流随着衬底温度的升高略有增加,在550°C下制备的样品具有最明显的光电效应.二极管对可见光和紫外光呈现出不同的响应性.在可见光照射下,光电流随反向偏压急剧增大,偏压增大到某一值时,光电流增速变小,而在紫外光下,光电流有逐渐增大的趋势.根据ZnO的透射谱认为,可见光和紫外光是在n-ZnO/p-Si异质结不同的耗尽区诱导电子-空穴对产生光电流的.
89.不同晶面蓝宝石和氧源对氧化锌薄膜生长的影响
- 张攀峰;魏鸿源;范海波;丛光伟;杨少延;刘祥林;朱勤生
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了r面蓝宝石的表面能比c面的小,更有利于增原子的迁移,从而实现ZnO的二维生长.发现甲醇作为氧源生长的薄膜晶体质量跟氧气作为氧源的相比有较大提高,这可能源于预反应的减弱和甲醇的表面活化作用.在r面蓝宝石上用甲醇作为氧源生长出了表面平整的ZnO单晶薄膜,其(10-12)面的非对称衍射的摇摆曲线半高宽仅0.10度.
- 蓝宝石;
- 甲醇;
- XRD;
- SEM;
- 氧化锌薄膜;
90.应变对PbSe材料晶格振动的影响
- 曹春芳;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;吴惠桢;徐天宁;斯剑霄;陈静;沈文忠
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268-280 cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度不同的明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模拉曼活性的物理原因,我们还比较分析了PbSe体单晶的拉曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出拉曼活性的散射峰.
91.PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理研究
- 斯剑霄;浙江师范大学数理信息学院;吴惠桢;徐天宁;曹春芳
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文采用分子束外延生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.霍尔效应和电阻率测量得到PbSe薄膜均具有p型导电性,载流子浓度为(5～8)×1017 cm-3,室温空穴迁移率为～300 cm2/v·s,随温度降低迁移率增大,77K温度下的迁移率达到3×103 cm2/v·s.通过对PbSe材料的杂质电离极化散射、声学波形变散射、声学波压电散射、光学波非极性散射及其光学波极性散射的迁移率理论计算,结果表明,在77K～295K温度范围,PbSe的长纵光学波散射是影响载流子迁移率的主要散射机理.同时,Raman光谱测量显示,在温度＞200K,不仅观察到了PbSe长纵光学声子散射LO(Γ),还观察到了其它光学声子的散射,这些观察到的声子散射影响了PbSe的空穴迁移率.
92.Pb1-xMnxSe薄膜的光学特性
- 王擎雷;吴惠桢;斯剑霄;徐天宁;夏明龙;谢正生;劳燕锋
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：我们用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明Pb1-xMnxSe为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底晶面(111).晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小,Mn含量由Vegard's公式得到.通过理论模拟Pb1-xMnxSe薄膜的透射光谱,得到了Pb1-xMnxSe合金薄膜的带隙与Mn组分的关系,Pb1-xMnxSe薄膜的带隙宽度由0.28eV(x=0)按e指数形式增加到0.49eV(x=0.0681),我们还获得了Pb1-xMnxSe薄膜在波长为4～9.5 μm间的折射率.
93.用于InP HBT的Agilent HBT模型参数提取流程
- 何佳;孙玲玲;刘军
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文对Agilent HBT大信号模型参数提取方法进行介绍,继承了和改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提取方法,以及文献[4,5,6]中介绍的参数提取技术.最后,对单指InP HBT器件进行了测量和仿真,实验结果表明,该模型对InP HBT直流特性及50MHz-25GHz频率范围内的交流小信号特性都能进行较好的表征.
94.多层金属化系统中的蓄水池效应
- 李秀宇;吴月花;郭春生;刘鹏飞
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文对于W通孔多层金属化系统来说,金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大.本文中设计了12种不同的蓄水池结构,进行电迁移实验.考察了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线的电迁移寿命的影响.得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素.
95.化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制
- 赵有文;董志远;魏学成;李晋闽
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2006年
摘要：本文分析了化学气相传输法(CVT)生长ZnO单晶的动力学、机理、模式与温度和组份过饱和蒸气压的关系.单晶生长实验给出的ZnO晶体表面形貌和生长现象与理论预计的结果一致.结果表明通过控制生长过程中的组份过饱和蒸气压、温度和化学配比可以控制ZnO单晶的二维成核生长模式,获得厚度均匀、单一晶向的高质量大尺寸ZnO单晶.