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应用于太赫兹成像的超材料阵列芯片制作

摘要

本文报道了一个基于双材料悬臂梁的超材料阵列芯片.该芯片是由100×100超材料单元阵列构成,超材料单元大小为150um×150um.通过CST软件对该芯片的太赫兹辐射吸收率进行了仿真,结果是中心频率为1.24THz,吸收率为92%.通过THz-TDS系统测试获得了该芯片的实际吸收率,中心频率为1.36THz,吸收率为90.6%.本论文的结果可为太赫兹成像技术、超材料制作、微细加工等领域提供了理论和技术依据.

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