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聚变堆等离子体面壁材料中氚分析技术研究进展

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在磁约束聚变技术研究中,放电时真空室内实时氚量将高达数百克,氚在等离子体面壁材料(plasma facing materials,PFMs)中的滞留是聚变堆涉氚技术研究中的关键问题之一.钨(W)是ITER偏滤器的结构材料,也是未来DEMO堆的重要候选材料,在ITER运行状态下将受到高达1024/(m2.s)的DT等离子体辐照.因此,通过分析测量W中的氚信息,研究氚在W中的滞留行为是聚变堆PFM研究的重要内容.BIXS(beta induced X-rays spectrum)是一种有效的材料中氚深度分布技术,可实现比直接beta射线测量高2～3个数量级的深度分析.在已开展的研究中,采用辉光放电的方式在HPW(high purityW,99.95％)中注入能量为200eV的氚,并分别在400,500,600,700K下进行退火处理.实验过程中采用BIXS对样品中的氚进行测量,并分析氚在不同条件下的滞留行为.此外,还采用离子径迹模拟程序TRIM对初始氚原子注入深度分布进行了计算.结果表明:在初始状况下,注入的氚均分布在W样品表层约10nm以内,在多次退火下,氚在W中的分布趋于均匀,且在500K下的氚解析率最高.

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来源
《首届中国氚科学与技术学术交流会》|2015年|118|共1页
会议地点成都
作者
陈志林; 李余; 杨阳; 程胜寒; 谭昭怡;
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作者单位

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TL627;
关键词
聚变堆; 等离子体面壁材料; 钨; 氚滞留行为;

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