ECC(Error Checking and Correcting)技术是解决SRAM抗单粒子翻转(SEU)问题的一种重要方法.本文针对星载SRAM型信息存储器的加固问题,根据存储器的读写特点,综合考虑抗SEU性能、冗余存储容量大小和系统读写效率等因素,提出了一种新型抗单粒子翻转的存储器读写结构.利用存储器与控制器件的互连总线,并行接入ECC编解码模块,以减小ECC模块对存储器读写操作性能的影响.以512B为单位划分存储器空问,采用汉明检纠错码方法对512B进行ECC编解码,得到3B的纠错码,对应16MB存储器容量,仅需96KB的纠错码存储容量;将编解码电路适配到宇航级FPGA芯片中,并利用FPGA的片上存储器资源保存ECC纠错码,保证了ECC校验和纠错功能的正确性.采用VHDL设计的寄存器传输级(RTL)编解码模块,经ISE综合得到的规模为2万门(含1K触发器),加上96KB的纠错码存储容量,可适配到XILINX宇航级芯片VIRTEX1000上,工作频率达到100MHz.
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