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短/中波波双色HgCdTe组件制备与表征

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文章报道了基于分子束外延碲镉汞(MCT)短/中波双色材料、器件的最新进展.采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料,并优化了材料质量,材料表面缺陷密度控制在800cm-2以内,通过扫描电子显微镜可以看出各层材料间界面陡峭;使用傅里叶转换红外线光谱分析仪(FTIR)、XRD等方法对材料进行了表征;基于此材料制备出了短/中波碲镉汞组件,并对组件进行了全面的表征,性能良好,成像清晰.

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来源
《第十二届全国分子束外延学术会议》|2017年|144|共1页
会议地点太原
作者
王经纬; 陈惠卿; 王亮; 王经纬;
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作者单位

中国有色金属学会;

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN36:TN305;
关键词
半导体组件; 碲镉汞; 双色材料; 制备工艺; 成像性能;

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