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中短波双色HgCdTe材料阻挡层生长与表征

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摘要

报道了碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展.使用反射式高能电子衍射分析在线监测生长过程,分析HgCdTe材料大缺陷形成原因并提出解决方案,优化了Si基中短波双色HgCdTe材料阻挡层生长工艺,解决了双色HgCdTe材料缺陷较大的问题.获得了具有良好晶体质量的Si基中短波双色HgCdTe材料.双色HgCdTe材料表面缺陷密度控制在2000cm-2以内.使用傅里叶转换红外线光谱分析仪(FTIR)对双色HgCdTe材料进行测试,并通过分析计算获得的红外透过光谱得到各层HgCdTe材料组分与厚度.解决了阻挡层组分与厚度表征困难的问题.

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来源
《第十二届全国分子束外延学术会议》|2017年|159|共1页
会议地点太原
作者
高达; 王经纬; 王丛; 高达;
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作者单位

中国有色金属学会;

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.25:TN304.054;
关键词
中短波双色半导体材料; 碲镉汞; 阻挡层; 晶体生长; 表面缺陷密度;

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