首页> 中文会议>第十二届全国分子束外延学术会议 >2μm量子阱激光器的结构优化设计

2μm量子阱激光器的结构优化设计

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

目前半导体激光器功率转换效率低下,通过改变波导层限制层铝组分以及波导层厚度等方面的外延结构,可以降低串联电阻和工作电压,从而提高激光功率转换效率,为此使用固态源Gen-ⅡMBE系统,进行(AlGaIn）(AsSb）压应变单量子阱结构的激光器结构的稳定生长,通过改变波导层及限制层铝组分,结合标准的宽脊条半导体激光器制备工艺.

著录项

来源
《第十二届全国分子束外延学术会议》|2017年|176|共1页
会议地点太原
作者
张克露; 谢圣文; 张宇; 徐应强; 王金良; 牛智川;
展开▼
作者单位

中国有色金属学会;

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体激光器件;
关键词
半导体激光器; 量子阱; 波导层; 限制层; 铝组分; 制备工艺;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文) [J] . 陆敏 ,方慧智 ,张国义 . 半导体学报：英文版 . 2004,第5期
2. 应变多量子阱DFB激光器有源区的优化设计(英文) [J] . 张冶金 ,朱林 ,高志国 . 半导体学报：英文版 . 2003,第1期
3. 考虑增益饱和及载流子复合效应优化设计多量子阱激光器 [J] . 张晓霞 ,潘炜 ,罗斌 . 铁道学报 . 2000,第001期
4. InGaAs/InP分别限制量子阱激光器的阱数优化设计和实验制备 [J] . 陈松岩 ,刘宝林 ,黄美纯 . 半导体光电 . 1998,第2期
5. InGaAs（P）应变多量子阱激光器的理论分析与优化设计 [J] . 彭守恒 ,王玮 . 电子学报 . 1997,第011期
6. 氮化镓基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化 [C] . 魏启元 ,胡晓东 ,李倜 . 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2006
7. InGaAsSb新结构量子阱激光器的优化设计与生长 [A] . 王义涛 . 2010

2μm量子阱激光器的结构优化设计

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅