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张晓霞; 潘炜; 罗斌; 吕鸿昌; 陈建国;
西南交通大学,电气工程学院,四川,成都,610031;
量子阱激光器; 增益饱和; 载流子复合; 阈值电流密度; 最佳阱数;
机译:分子束外延生长的GaAsSb / GaAs量子阱激光器中的增益饱和和载流子分布效应
机译:大信号调制下长波长多量子阱激光器中的载流子传输效应
机译:应变层多量子阱分布式反馈激光器中增益饱和系数的测量
机译:通过电路级建模考虑载流子复合和载流子逸出时间的自组装InAs-GaAs量子点激光器的静态和动态特性
机译:飞秒中红外脉冲研究量子级联激光器中的载流子动力学和非线性效应
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:多量子阱激光器中载流子分布不均匀
机译:半导体激光器中侧向载流子扩散的静态和动态效应
机译:考虑热载流子效应的退化估计方法
机译:-使用隧道效应注入少数载流子的导体半导体激光器
机译:多量子阱-半导体激光器和具有这种激光器的光通信系统
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