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一种提高载流子复合效率的多量子阱中的垒的结构

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摘要

本发明公开一种提高载流子复合效率的多量子阱中的垒的结构，该结构是一种靠近p区的最后一个量子阱中的垒的结构。该结构同时包含u-InGaN层和u-AlInGaN双层结构，u-InGaN层能有效减少量子阱区的缺陷密度，减小量子阱区由于晶格质量造成的应力；同时采用u-AlInGaN可以增大垒的能带间隙，减少电子的溢流，提高电子和空穴在发光量子阱区，最后一个量子阱内的复合效率，提高发光亮度。

著录项

  • 公开/公告号CN102623597B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华灿光电股份有限公司;

    申请/专利号CN201210122393.4

  • 发明设计人 王明军;魏世祯;胡加辉;

    申请日2012-04-25

  • 分类号

  • 代理机构江西省专利事务所;

  • 代理人胡里程

  • 地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-08

    授权

    授权

  • 2012-09-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20120425

    实质审查的生效

  • 2012-08-01

    公开

    公开

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