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面向短波红外应用的InGaAsBi材料生长研究

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通过大范围地调节In与Bi的组分,新型稀铋半导体材料InGaAsBi可在InP衬底上匹配生长,同时其理论发光波长最长能达到6微米,完全覆盖短波红外波段,因此具有广泛应用前景.将InGaAsBi作为面向短波红外应用PIN型探测器的吸收层时,要求探测器具有较低暗电流,这就要求作为有源层的InGaAsBi具有较高结晶质量.尝试在生长温度280℃，AsH3压力350Torr下通过调节Bi炉温度外延不同Bi组分的InGaAsBi。

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来源
《第十二届全国分子束外延学术会议》|2017年|174-175|共2页
会议地点太原
作者
杜奔; 陈星佑; 顾溢; 马英杰; 奚苏萍; 张见; 张永刚;
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作者单位

中国有色金属学会;

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23:TN304.054.4;
关键词
半导体材料; 铟镓砷铋; 外延生长; 温度参数; 结晶质量;

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