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HEMT基生物传感器制作工艺中SPM溶液对GaN表面羟基化处理条件的优化

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在高电子迁移率晶体管(HEMT)基生物传感器的制作工艺中,对栅区表面(GaN帽层)进行羟基化是必不可少的一步.本文通过X射线光电子能谱(XPS)表征和接触角测量验证了GaN表面亲水性和羟基含量呈正相关,且从表面能的角度解释了其内在机理.对GaN表面进行不同条件下的SPM(硫酸双氧水混合液)羟基化处理,通过水的静态接触角表征的方法验证其羟基化的效果,最终得出SPM的最佳处理条件为80℃水浴下处理20min.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||329-330|共2页
会议地点西宁
作者
薛东阳; 张贺秋; 刘俊; 梁红伟;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
生物传感器; 制作工艺; 高电子迁移率晶体管; 氮化镓衬底; 表面羟基化; 硫酸双氧水混合液; 接触角;

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