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GaN(0001)自支撑衬底上黄光LED的制备研究

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本实验中,采用GaN(0001)自支撑衬底进行了GaN基黄光LED的制备.采用XRD、AFM、PL和EL对该黄光LED的结构、光学和电学特性进行了表征.在XRD(0002)面2θ-ω谱中可以明显的观察到InGaN/GaN量子阱的五级衍射峰,说明制备出了InGaN阱层和GaN垒层界面陡峭的InGaN/GaN量子阱结构.通过低温(10K)和室温(300K)PL测试,得到该黄光LED的内量子效率为16％.此外,该黄光LED的EL谱呈现很好的高斯分布,并具有较窄的线宽(～50nm).

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||271-272|共2页
会议地点西宁
作者
邓高强; 黄振; 余烨; 张源涛; 杜国同;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
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中图分类
关键词
黄光发光二极管; 制备工艺; 氮化镓衬底; 量子阱结构; 光学特性; 电学特性;

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