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太赫兹量子级联激光器的有源区材料生长研究

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太赫兹量子级联激光器的有源区由千余层纳米薄膜构成,其制备要求精确控制每一层薄膜的厚度、组分和掺杂浓度.本文采用分子束外延方法,通过反射式高能电子衍射对衬底表面状态进行在线分析和生长速率标定,通过动态温度补偿实现了长时间GaAs/AlGaAs的稳定沉积,获得了原子级平整的层间界面,实现了ppb级本底杂质浓度的材料生长,层厚控制精度达到1％,为太赫兹量子级联激光器的研制提供了高质量的有源区材料.

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来源
《第三届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会》|2016年|1-5|共5页
会议地点成都
作者
Shen Changle; 沈昌乐; Wang Xuemin; 王雪敏; Jiang Tao; 蒋涛; Zhan Zhiqiang; 湛治强; Li Weihua; 黎维华; Peng Liping; 彭丽萍; Wu Weidong; 吴卫东;
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作者单位

中国电子学会;

中国兵工学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN248.1:TN205;
关键词
太赫兹量子级联激光器; 纳米薄膜; 温度补偿; 分子束外延;

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