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基于低势垒FM/I/n-Si磁隧道结的优化自旋注入效率和增强的Spin MOSFET信号

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自旋电子学器件由于其有较小的单元尺寸,更低的功耗和新兴的电荷—自旋集成功能,因此可能成为超越摩尔定律物理极限的下一代电子器件.在众多半导体中,在硅上实现自旋电子学具有重要意义,因为硅是半导体行业中应用最普遍的材料,且成熟的硅工艺可以大大促进自旋电子器件的制备和大规模应用.应用格点非平衡格林函数方法，建立了可考虑任意隧道和肖特基势垒的输运模型，并且通过n-Si中温度依赖的费米能级和费米迪拉克分布，统一描述了热电子发射和隧道输运过程。应用此方法，计算了在不同势垒材料下FM/I/n-Si隧道接触的有效接触电阻、注入电流的自旋极化率、接触电阻的自旋不对称系数，以及垂直构型的自旋金属-氧化层-半导体场效应晶体管结构的磁阻比率。

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来源
《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会》|2017年|98-99|共2页
会议地点厦门
作者
李俊; 杨阳; 吴振华; 杨文; 李成; 陈松岩;
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作者单位

厦门大学;

浙江大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类制造工艺及设备;
关键词
自旋电子学器件; 格点非平衡格林函数; 热电子发射; 隧道输运过程; 磁阻比率;

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