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2004年中国材料研讨会

召开年：2004
召开地：北京
出版时间： 2004-11-01

主办单位：中国材料研究学会

会议文集：2004年材料科学与工程新进展论文集

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1.钕铁硼铸片的制备工艺、组织结构及磁体性能
- 舒康颖;张书凯;毛华云;唐国才
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：本文主要研究了钕铁硼铸片的制备工艺,观察分析了铸片的显微组织,研究了用不同厚度铸片制备的烧结Nd-Fe-B磁体的磁性能.研究结果表明,随着辊线速度的增加,铸片的平均厚度减小,控制合理的辊速可以有效地抑制α-Fe树枝晶析出.铸片的组织为辐射状的柱状晶,在形核区为0.5~3μm的等轴晶.测试用不同厚度铸片制备的Nd-Fe-B磁体的结果表明,平均厚度增大对磁体的磁性能产生不利影响,导致磁体磁能积下降.
2.Nd<,2>Fe<,14>B/α-Fe双相快淬粉晶化行为研究
- 许用华;孙爱芝;李琪;苏广春;肖耀福
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：采用急冷法制备了名义成分为Nd<,10.8>Pr<,0.6>Dy<,0.2>Fe<,76.1>Co<,6.3>Ga<,0.2>Al<,0.2>B<,5.6>的Nd<,2>Fe<,14>B/α-Fe双相快淬粉,对快淬粉进行差热分析,并将快淬磁粉在不同的温度下进行真空热处理,之后进行X射线分析和磁性能的测量.分析结果表明:该非晶快淬磁粉的晶化温度为520.0℃和582.6℃,分别对应于α-Fe和Nd<,2>Fe<,14>B的晶化温度.在超高压条件下,晶化温度提高,且高于650℃.
3.La<,0.67>Sr<,0.33-x>Ag<,x>MnO<,3>/Fe<,3>O<,4>复合体系电输运性质的研究
- 刘兴民;唐贵德;张敬晶;侯登录;陈伟
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：采用溶胶-凝胶(sol-gel)和共沉淀法分别成功地制备了La<,0.67>Sr<,0.18>Ag<,0.15>MnO<,3>多晶样品和Fe<,3>O<,4>纳米微粉.并对La<,0.67>Sr<,0.18>Ag<,0.15>MnO<,3>多晶样品与Fe<,3>O<,4>按照不同的质量比混合,制备了复合块体样品.在288~372K温区内研究了复合样品的电输运性质.我们发现纯La<,0.67>Sr<,0.33-x>Ag<,x>MnO<,3>的电阻率很小,在给定的温区出现电输运性质的金属-半导体转变;当掺入Fe<,3>O<,4>后在同样的温区内样品的电阻率迅速增大,并且电阻率一直随温度的升高而下降.
4.Pt-Co永磁合金研究进展
- 李腾;郭朝晖;李卫
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：首先对Pt-Co合金的相结构和相转变以及内禀磁性能作了介绍,合金在高温固溶后形成无序的面心立方相,时效后形成具有永磁性能的四方相.时效后合金所具有的较高的磁晶各向异性是产生高矫顽力的原因.合金的热处理制度主要分为两步:在1000~1100℃进行固溶并分别在680℃和600℃进行时效.在可加工永磁中,Pt-Co合金的磁性能较高,对性能起决定作用的是680℃时效,随时效时间的延长,合金的B<,r>、H<,c>和(BH)<,max>呈现不同的变化趋势.总体来讲,该合金是一种在特定场合有特殊应用的永磁材料.
5.超低碳贝氏体焊缝金属性能预报
- 马成勇;田志凌;彭云;何长红;张晓牧;肖红军
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：超低碳贝氏体焊接材料的开发与研究是近年来国际上焊接领域研究的热点之一.作为一种全新的焊接材料,其研制过程中必然涉及大量多元非线性因素对材料性能的影响问题,而且影响ULCB焊接材料的众多影响因子之间又存在复杂的交互作用和非线性效应.基于人工智能和多元非线性分析的计算机辅助设计方法,在解决这类问题上具有独到之处,特别适合于研究对象复杂、机理不明或工作量太大而使理论分析难于进行的体系.本文采用基于判别分析、人工神经网络、分类图构造和遗传算法等技术开发的计算机辅助自建模系统,对获得的ULCB焊丝成分及力学性能数据进行处理,建立了ULCB焊丝熔敷金属成分及性能之间的定量模型.经试验验证,建立的神经网络定量模型用于预测ULCB焊丝熔敷金属的强度和塑性,获得了令人满意的效果,尤其是预测熔敷金属抗拉强度及断面收缩率具有很高的精确度.
6.低频力学弛豫谱仪的原理与结构
- 沈中城;陈小平;张进峰;严勇健
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：力学弛豫谱(或力学耗散峰)能揭示材料的结构与缺陷的特征,能对材料的力、电、磁、光学以及相变等性能进行深入检测,给出有益的启示.并对我们研制成功的LMR-1型低频力学弛豫谱仪的结构与原理作了概括介绍.
7.多孔氧化铝层制备的研究
- 吴昊;刘建华;李明;李松梅
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：采用预腐蚀与交流腐蚀相结合的方法,研究了多孔氧化铝层的制备工艺,探讨了制备工艺中各步骤的作用以及影响因素.利用扫描电镜,研究了多孔氧化铝层制备工艺对铝箔微观形貌的影响.研究表明,交流腐蚀工艺对铝箔表面微观形貌的改变作用最明显.一次后处理后铝箔表面蚀孔变密,氧化膜的结构更加疏松细腻.二次后处理、调整和热处理等步骤对铝箔表面的微观形貌影响不大.
8.激光法合成高介电系数陶瓷Ta<,2>O<,5>-TiO<,2>的TEM研究
- 刘显强;韩晓东;张泽;季凌飞;蒋毅坚
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：半导体工业致力于在单位面积/体积上铺满更多的结构以期得到更高密度、更快运算速度的光电子元器件,而高介电系数物质可满足上述目的.Ta<,2>O<,5>系氧化物是重要的高介电系数物质候选材料之一.本研究用电子显微学的方法研究了激光法合成的高介电系数陶瓷Ta<,2>O<,5>-TiO<,2>晶体点阵结构:a=0.391nm,b=0.384nm,c=1.863nm,α=83.8°,β=95.9°,γ=88.5°.这种结构沿[110]方向在(110)面调制,调制周期为:2.48nm.本研究认为:这种调制结构正是导致Ta<,2>O<,5>-TiO<,2>陶瓷介电系数大幅度提高的原因.
9.处理电压对MB5镁合金微弧氧化膜的微观组织结构及其耐蚀性的影响
- 姚美意;周邦新;王均安;姜娟
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：本文采用SEM-EDS、XRD等表面分析手段研究了不同电压处理下MB5镁合金微弧氧化膜层的表面形貌、相结构与成分,并用电化学测试法考察了氧化膜层的耐腐蚀性能.结果表明:处理电压对微弧氧化膜层的微观组织结构、成分有显著影响,而微弧氧化膜层的微观组织结构与成分又直接影响其耐蚀性.在120~200V进行微弧氧化处理时,经160V处理的微弧氧化试样耐蚀性最好.镁合金微弧氧化膜由α-MgF<,2>、MgO、Mg<,2>SiO<,4>和MgAl<,2>O<,4>等含硅或铝的尖晶石型氧化物组成,随着氧化处理电压的增加,MgO的含量明显增加.微弧氧化时出现氧化膜微区熔化,溶液离子与基体合金都参与了微弧区物理化学反应.
10.新型高强Al-Mg合金腐蚀行为研究
- 许广兴;刘建华;李松梅;李家峰
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：采用目视法和金相法研究了新型高强Al-Mg合金材料在航空工业环境下的抗剥蚀和晶间腐蚀的行为,并对其剥层腐蚀和晶间腐蚀行为进行了评价.初步探讨了铝合金发生晶间腐蚀倾向与剥蚀的联系.结果表明,在航空工业腐蚀环境中,新型高强Al-Mg合金没有发现明显的剥层腐蚀行为,而且也没有明显的晶间腐蚀倾向行为,具有良好的耐腐蚀行为.
11.绿色制造技术在铝型材生产过程中的运用
- 闫秀;黄冬梅
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：工业铝合金型材的绿色制造,体现在资源节约与废物最小化.包括:(1)熔铸:使用电炉替代燃料炉;细化剂与添加剂的配方优化.(2)挤压模具设计制作:通用零部件标准化;绿色电火花工艺、真空热处理.(3)型材挤压:各加热工序使用电炉替代燃料炉.(4)机械加工:1)切断、剖沟、冲压:改善通风;防止切削液弥漫;设置合理的废液排放口位置等.2)钻孔、攻丝:使用干切削工艺.主要应用:在特殊气体氛围中进行干切削;在氮气氛围中进行干切削(吹氮加工):干式静电冷却技术.3)精密数控加工:采用冷风干切削技术,适用于精、微磨削.4)表面处理:采用含有粉尘性悬浮物的气体转换成废水的技术;酸碱中和后排放;废水先经过CaCO<,3>池部分吸收以降低重金属含量;每种槽液达标化处理后排放等.文章列举了不良品处理、产品标识方案,并举例描述了磷化处理的基本属性、技术参数、环境协调性数据等.
12.一次同时完成的硅片双面抛光技术
- 董尧德;汪桂发;胡新华
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：本文主要介绍在国产双面抛光机上一次同时完成的硅片双面抛光技术.通过大量试验和实践,我们从设备到工艺(包括对关键原材料及辅助工具的合理选用),采取了一系列行之有效的措施,终于成功地实现了一次同时完成硅片双面抛光工艺,硅片最薄加工厚度已达到215μm.加工的硅双面抛光片,具有精度指标高、表面质量好等一系列优点,φ76.2~100mm硅双面抛光片其TTV以及TIR一般都保证小于1.0μm.
13.镁合金冷轧板材及其冲压成形
- 黄光胜;汪凌云;黄光杰;卢志文;潘复生
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：目前镁合金板材几乎是采用热轧板与温轧板,力学性能较低,并且用热轧生产1mm以下的薄板比较困难.本文采用厚度为1.5~4.0mm的AZ31B镁合金热轧板材为原材料,通过冷轧获得了厚度为0.5~1.0mm的冷轧板材,经过适当退火工艺后,获得均匀细小的等轴晶,并具有较好的综合性能.用厚度为0.8mm的冷轧板材,冲压出了笔记本电脑外壳、手机外壳等壳形件.实现了镁合金的冷冲,冷冲出了圆盘壳形件,对镁合金薄板的应用具有非常重要的意义.
14.热处理对AZ61B镁合金组织及性能的影响
- 董国振;张丁非;丁培道;彭建
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：本文研究了AZ61B挤压棒材在不同热处理工艺下的显微组织和力学性能.通过对AZ61B镁合金挤压态及各种状态的显微组织分析及力学性能试验,发现热处理能明显改善AZ61B镁合金的力学性能,各项性能指标均有不同程度的提高.研究表明,时效处理的性能提高非常显著,最佳热处理工艺为350℃固溶加180℃人工时效.
15.ZK60镁合金铸锭宏观组织观察
- 张保平;张丁非;丁培道;彭建
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：采用乙酸苦味醇溶液、8﹪硝酸溶液、变性饱和氯化铵溶液以及电解抛光等方法对ZK60铸锭进行了宏观组织的腐蚀观察,结合宏观组织对凝固过程中ZK60铸锭组织的形成做了简要的讨论.分析表明采用乙酸苦味醇腐蚀可以判定铸锭的晶粒组织是否有异常长大;8﹪的硝酸溶液能够很好地显示枝晶的形态;而氯化铵饱和溶液可以用来很好地判断铸锭中的空洞缺陷和第二相分布;电解抛光方法由于对枝晶间距清楚的腐蚀,操作得当则不影响其形状,非常适合于腐蚀枝晶.
16.AZ31B挤压管材的组织与性能研究
- 汤成刚;彭建;蒋斌
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：本文研究了AZ31镁合金挤压管材的显微组织和力学性能.结果表明,AZ31挤压管材为混晶组织;管材的σ<,b>为240~260MPa,σ<,s>150~200MPa,伸长率为14﹪~16﹪;前端平均晶粒尺寸为17~21μm,后端平均晶粒尺寸为26~28μm;前端晶粒细小均匀,前端性能总体上优于后端.
17.6Cr21Mn10MoVNbN合金的高温流变特性
- 朱远志;尹志民;郭昌明;滕浩
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：利用Gleeblel1500热模拟、金相技术研究了6Cr21Mn10MoVNbN奥氏体不锈钢的高温流变特性.研究发现,合金的高温变形分为加工硬化阶段和稳态变形阶段.合金的流变应力随温度升高而下降;合金在950~1050℃之间变形既能保证较低的力能消耗,又可以保证良好的微观组织.在面心立方材料的Zerrilli-Arm-strong本构方程基础上,引入材料微观结构变化参量,得到了一个形式简单的适于材料动态计算的本构方程,并分不同温度段计算了表征合金微观结构变化的相关参数,对合金的流变应力进行了预测,预测结果和实验数据吻合良好.
18.铼(Re)对单晶高温合金铸态组织的影响
- 骆宇时
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：以第二代单晶DD6合金成分为基础,调整Re含量,通过对四种不同Re含量的单晶合金的研究,探讨了Re含量的变化对铸态组织的影响.结果发现:合金的枝晶结构、共晶相含量、共晶成分、γ′相的大小及合金元素的偏析行为随Re含量不同而出现很大差异.
19.三维连续碳化硅网络增强Al、Cu高热导率电子封装材料的研究
- 金基明;陈亚
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：在传统的电子封装用金属基复合材料中,SiC颗粒增强金属基复合材料的研究与开发受到广大科研工作者的重视.在这种材料中,作为增强相的碳化硅颗粒是弥散在金属基体之中的,材料的线膨胀系数强烈地依赖于碳化硅颗粒的体积分数,而较大的碳化硅颗粒体积分数又势必降低材料的热导率.本文提出将三维网络SiC骨架整体增强金属基的新概念,并用陶瓷工艺制备了这种整体预制件骨架.这种预制件已不是传统意义上的颗粒或纤维增强型,这种材料在热循环过程中,增强体除了可承受压应力外,还可承受拉应力,复合材料在较低的SiC体积分数下,获得较低的热膨胀系数,从而使复合材料获得较高的热导率.
20.不同精抛布种类及抛布使用时间对硅片LPD缺陷影响
- 史舸;刘振淮;王文;齐旭东;熊诚雷;黄振飞
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：在一定的抛光工艺条件下,精抛光布的选择及精抛光布使用时间的控制直接影响到最终抛光片表面小尺寸LPD缺陷的多少,因此通过实验确定适宜于自身抛光工艺的精抛布以及适宜的抛光布使用时间很有必要.
21.TEOS LPCVD工艺在硅片封闭技术中的应用
- 刘振淮;史舸;王文卫;王文
- 《2004年中国材料研讨会》 | 2004年
摘要：液态硅源硅酸乙酯(TEOS)在700~750℃分解的LPCVD工艺,二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到20~30nm/min,薄膜的厚度均匀性小于1﹪,这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积SiO<,2>薄膜的主流工艺.本文主要阐述了TEOS LPCVD工艺在硅片封闭技术中的应用.