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用于传导电磁干扰分析的功率半导体器件的建模

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采用集总电荷的方法,分别对功率半导体器件中的二极管和MOSFET进行表征,描述二极管的正反向恢复特性,应用载流子输运方程、连续性方程和泊松方程确定MOSFET内部P型体区和N-型漂移区电荷的变化规律,进而完成二极管和MOSFET模型的建立.以boost电路为例,应用Saber软件对模型进行验证,其结果表明所建功率半导体器件模型十分精确,可用于电磁干扰的研究.

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来源
《全国抗恶劣环境计算机第二十六届学术年会》|2016年|425-430|共6页
会议地点重庆
作者
杨天鹏; 寇金桥; 杨帆;
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作者单位

中国计算机学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类结构、器件;
关键词
功率半导体器件; 数学模型; 电磁干扰; 信号传导;

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