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司世清; 陈吉华; 陈建军; 陈强;
中国计算机学会;
集成电路; 设计理念; 静态随机存储器; 静态功耗; 晶体管堆叠; 可变阈值电压;
机译:超低功耗SRAM可使用40nm闪存混合加载工艺在170°C的温度下运行
机译:基于工艺变化容忍Finfin的32 nm技术的低功耗SRAM单元设计
机译:利用各种工艺和电路技术设计和仿真高电平低功耗7T SRAM单元
机译:低功耗和工艺变化感知型SRAM和Cache在SRAM电路,架构和组织中的设计容错能力。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:sRam核心单元中电阻 - 桥接缺陷的分析:从90nm到40nm技术节点的比较研究*
机译:高速,夹带流煤气化过程的工艺开发单元的设计,建造和运行。 1982年4月至6月第5号季度技术进步报告
机译:适用于40nm工艺的超低功耗晶体管
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