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Shuxun Lin; 林书勋; Maojun Wang; 王茂俊; Wang Ye; 王野; Zhang Chuan; 张川; Cheng P.Wen; 文正; Jinyan Wang; 王金延; Yilong Hao; 郝一龙;
教育部;
国务院学位委员办公室;
电力电子开关; 金属氧化物半导体场效应管; 常关型; 栅下刻蚀技术;
机译:具有厚未掺杂GaN栅极层的常关型AlGaN / GaN / AlGaN双异质结FET
机译:具有结型场板的高Baliga质量因数常关型P-GaN栅极AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的仿真设计
机译:正偏压下常关型p型GaN Cap / AlGaN / GaN HEMT的栅极可靠性研究
机译:具有p型GaN栅极和AlGaN缓冲器的常关型AlGaN / GaN HFET
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:温度稳定性研究的Algan / GAN常关型高电子迁移率晶体管的设计,仿真和制造
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译:具有常关阈值的AlGaN / GaN HEMT最小化及其制造方法
机译:具有常关阈值的AlGaN / GaN Hemt最小化及其制造方法
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