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栅场板对具有p-GaN栅的GaN HEMT器件性能的影响

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本文对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了仿真.仿真结果显示:具有p-GaN栅的GaN HEMT器件阈值电压为1.5V;采用栅极场板能缓解栅极边缘过于集中的电场,当场板长度为5μm时,器件击穿达到1100V;间断的栅极场板能在场板间隙中产生新的电场峰值,更充分的利用漂移区耐压,器件的击穿电压可达到1271V;栅极场板与AlGaN势垒层的距离影响场板对漂移区电场的调控作用,当栅极场板下方介质层厚度为0.24μm时,器件的击穿电压可达1255V.

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来源
《2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会》|2013年|125-129|共5页
会议地点大连
作者
王立东; 王中健; 程新红; 万里;
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作者单位

中国半导体行业协会;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN325.3;
关键词
高电子迁移率晶体管; 氮化镓; 栅场板; 性能表征;

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