等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理

李诚瞻; 庞磊; 刘新宇; 黄俊; 刘键; 郑英奎; 和致经

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对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析Al GaN表面,等离子体干法刻蚀增加了Al GaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与Al GaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使Al GaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与Al-GaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,Al GaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.

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来源
《半导体学报》 |2007年第11期|1777-1781|共5页
作者
李诚瞻; 庞磊; 刘新宇; 黄俊; 刘键; 郑英奎; 和致经;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN325.3;
关键词
等离子体刻蚀; 凹栅槽; 栅电流; N空位;

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