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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 電子デバイス. Electron Devices >リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング
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リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング

机译：用于凹栅AlGaN / GaN-HEMT的低损伤干法蚀刻

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リセスゲートAlGaN／GaN-HEMTは、低いオン抵抗と高い相互コンダクタンスを両立させるために有望な構造である。しかしながら、ウエットエッチングが難しいGaNにリセスゲート構造を適用するにはドライエッチングが必要なため、低ダメージのドライエッチング技術の開発が重要な課題となる。本研究では、エッチング面のショットキー特性からダメージを評価し、低ダメージエッチングの開発を行った。結果、Cl_2/BCl_3を用いた低パワーエッチングにおいて平滑なエッチングを実現し、ショットキーバリア高さの低下を抑制することを可能とした。さらに、開発した低パワー条件をAlGaN/GaN-HEMTのリセスゲート形成に適用した結果、低ダメージエッチングの効果を実証するデバイス特性が得られた。
机译：凹栅AlGaN / GaN-HEMT是实现低导通电阻和高互导性的有前途的结构。然而，由于需要干法蚀刻以将凹入栅极结构应用于GaN，这很难进行湿法蚀刻，因此低损伤干法蚀刻技术的发展是重要的问题。在这项研究中，从蚀刻表面的击键特性评估了损伤，并开发了低损伤蚀刻。结果，在使用Cl_2 / BCl_3的低功率蚀刻中实现了平滑蚀刻，并且可以抑制击键阻挡层的高度降低。此外，通过将开发的低功率条件应用于AlGaN / GaN-HEMT的凹槽栅极形成，结果获得了表现出低损伤蚀刻效果的器件特性。

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