AlGaN/GaN槽栅HEMT模拟与实验研究

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• 来源
  《物理学报》 |2009年第3期|1966-1970|共5页
• 作者

  王冲; 全思; 张金凤; 郝跃; 冯倩; 陈军峰;

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• 作者单位

  西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

  宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

  宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

  宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

  宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

  宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

  西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 物理学;
• 关键词

  高电子迁移率晶体管; AlGaN/GaN; 槽栅器件;