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一种监控AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀的方法

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本发明公开了一种监控AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀的方法，其中AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀包括Si₃N₄钝化层刻蚀以及AlGaN/GaN层刻蚀，该监控方法是分别在刻蚀Si₃N₄钝化层以及AlGaN/GaN层后对一个用于监控凹栅槽刻蚀程度的测试管芯进行I‑V测试，观察该测试管芯的电流变化情况，并依据该电流变化情况判断凹栅槽刻蚀状况。利用本发明，有效监控凹栅槽刻蚀程度，并且辅助寻找出较为合适的凹栅槽刻蚀条件，保证了器件直流特性、小信号特性以及功率特性。

著录项

公开/公告号CN103745944B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-24

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN201410046236.9
发明设计人袁婷婷;魏珂;郑英奎;刘新宇;
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申请日2014-02-10
分类号H01L21/66(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 09:45:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-24

授权

授权
2014-05-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20140210

实质审查的生效
2014-04-23

公开

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