首页> 中文会议>2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 >IGBT器件的短路特性优化设计研究

IGBT器件的短路特性优化设计研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文研究了IGBT发生短路事件时的器件物理特性,并结合实际的设计优化措施给出了合理的优化设计方案.首先从分析器件理论公式出发,讨论了饱和电流的影响因素,之后重点采用模拟手段仿真分析了不同优化措施的对器件短路特性影响的实际效果.研究结果表明,调整器件的元胞节距是比较有效的优化设计方法,各种优化短路特性的措施都必须充分考虑对器件其它参数的影响.采用折中设计原则实现最优的器件设计方案.

著录项

来源
《2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会》|2013年|199-205|共7页
会议地点大连
作者
Yu Qiaoqun; 喻巧群; Lu Jiang; 陆江; Tian Xiaoli; 田晓丽; Lu Shuojin; 卢烁今; Zhu Yangjun; 朱阳军; Han Zhengsheng; 韩郑生;
展开▼
作者单位

中国半导体行业协会;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8;
关键词
绝缘栅双极晶体管; 短路特性; 元胞节距; 优化设计;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 软特性650V IGBT：低电磁干扰和电压尖峰的优化器件 [J] . Wilhelm Rusche ,Andreas Hartl ,Marco Bassler . 变频器世界 . 2011,第007期
2. 影响IGBT器件短路能力的一种栅极振荡现象研究 [J] . 闻永祥 ,范伟宏 ,顾悦吉 . 中国集成电路 . 2013,第007期
3. 影呐IGBT器件短路能力的一种栅极振荡现象研究 [J] . 闻永祥 ,范伟宏 ,顾悦吉 . 中国集成电路 . 2013,第007期
4. 650VIGBT4：可承受10μS短路时间的大电流模块用最优器件 [J] . A．Hartl ,M．Bassler ,M．Knecht . 电力电子 . 2010,第004期
5. 反复短路运作下IGBT器件失效的研究 [J] . Z．Khatir ,S．Lefebvre ,寇茜（译） . 电力电子 . 2007,第001期
6. 一种具有阳极短路结构的局域寿命控制IGBT器件 [C] . 王蓉 ,钱梦亮 ,谢刚 . 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 . 2008
7. 智能功率模块用550V厚膜SOI-LIGBT短路特性的研究与优化 [A] . 喻慧 . 2016

IGBT器件的短路特性优化设计研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅