650VIGBT4：可承受10μS短路时间的大电流模块用最优器件

A．Hartl; M．Bassler; M．Knecht; P．Kanschat; 冯幼明（译）; 王传敏（译）

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本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比，该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度，减小了MOS沟道的宽度，提高了背面的发射效率。相应地，器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。

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来源
《电力电子》 |2010年第4期|P.38-40|共3页
作者
A．Hartl; M．Bassler; M．Knecht; P．Kanschat; 冯幼明（译）; 王传敏（译）;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类大电流的测量方法及设备;
关键词
大电流; 器件; 短路; Infineon公司; 模块; 时间; 阻断电压; 发射效率;

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