基于20nm FinFETs器件穿通电流的抑制及穿通阻止层技术优化设计

著录项

• 来源
  《2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会》|2013年|166|共1页
• 会议地点 大连
• 作者

  刘云飞;

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• 作者单位

  中国半导体行业协会;

  中国电子科技集团公司第十三研究所;

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• 会议组织
• 正文语种
• 原文格式 PDF
• 中图分类 场效应器件;
• 关键词

  场效应晶体管; 穿通电流; 穿通阻止层技术; 优化设计;