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Si02薄膜; 二氧化硅; 漏电流; 击穿通路; MOS器件;
机译:ssDNA-SET-A低功耗纳米器件中漏源电流异常的分析模型,用于未来的电子应用
机译:n / sup +/-多晶硅发射极双极型器件中氧化物击穿对基极电流的影响的分析模型
机译:电应力下多晶硅薄膜晶体管中与漏极/栅极电压相关的导通电流和截止电流不稳定性
机译:SiO / Sub 2 /薄膜多次击穿路径漏电流的分析模型
机译:h-BN-石墨烯-h-BN中的1 / f电子噪声和h-BN-TaSe 3 van der Waals异质结构中的高击穿电流密度。
机译:有源层厚度不同的非晶InGaZnO薄膜晶体管中漏极电流应力引起的不稳定性
机译:硬击穿后薄氧化硅薄膜中的低频电流波动
机译:通过测量射频驱动下的发光,检测温度对Gaas mEsFET(金属 - 半导体场效应晶体管)中栅极 - 漏极击穿击穿的影响
机译:存储器单元编程电压电路在比较器输入和产生的电压之间具有源极-漏极路径,当栅极电压超过击穿电压时提供击穿电流
机译:设计和制造具有降低的漏极击穿电压的漏极结击穿点的PMOS器件的方法
机译:设计和制造具有漏极结击穿点的PMOS器件的方法,该器件的位置减小了漏极击穿电压的进入
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