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Zhao Shi-rui; 赵士瑞; Luo Ning; 罗宁; Xiao Jing-bo; 肖璨博; Li Zhi-Chao; 李志超;
中国科学院电工研究院工程电磁场及应用技术研究部;
中国科学院大学电子电气与通信工程学院;
半导体; 微波退火; 超浅结; 离子激活; 固相外延;
机译:用于制造更高效的半导体光阳极的混合微波退火,用于太阳能水分裂
机译:微波退火活化高迁移率III-V族半导体材料的研究
机译:微波辅助退火对半导体聚合物薄膜形貌和电性能的影响
机译:微波半导体器件中硬玻璃层及其在微波半导体器件中的应用技术
机译:离子注入半导体上毫秒激光退火的研究及其在规模化finfet技术中的应用。
机译:通过使用选择性退火制备的肖特基型金属半导体 - 金属Al0.24Ga0.76N uV传感器
机译:微波退火对氧化物半导体 - 前体油墨的影响
机译:用于先进热机应用的氮化硅部件微波处理的开发 - 具有高添加剂含量的氮化硅的微波退火。 CRaDa最终报告CRaDa编号ORNL90-0035
机译:激光退火方法,用于半导体器件,半导体器件,激光退火方法,激光退火装置的控制装置和激光退火装置
机译:用于半导体装置的激光退火方法,半导体装置,激光退火方法,用于激光退火装置的控制装置以及激光退火装置
机译:制造包括通过微波退火工艺形成的三元合金层的半导体器件的方法
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