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氢钝化对硅中晶界电学性能的影响

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作为多晶硅材料中最重要的缺陷之一,晶界可以向硅禁带中引入深能级从而降低硅片性能.本文利用特殊的(110)/(100)键合样品,研究了氢钝化对晶界电学性能的影响.采用有效载流子寿命表征和电流/电容-电压特性曲线的方法,研究氢钝化对晶界能级电学特性的影响,得到了氢钝化前后能级所处的位置以及所对应的载流子捕获截面.在氢钝化后,硅片的有效载流子寿命提高,晶界引入的能级位置变浅,晶界态密度和载流子捕获界面也相应降低.

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来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|262|共1页
会议地点北京
作者
姜婷婷; 余学功; 杨德仁;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12:TN304.055;
关键词
多晶硅; 氢钝化工艺; 电学性能; 少子寿命;

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