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ZnSe薄膜的制备及掺杂研究

摘要

ZnSe是一种宽禁带的□-□族半导体材料,适宜作为太阳电池的窗口层.通过磁控溅射方法制备了ZnSe薄膜并进行了掺杂改性,一方面在溅射气体中通入N2的条件下制备了ZnSe掺N薄膜;另一方面采用共溅射法制备了ZnSe掺A1薄膜.最后,对制备的薄膜进行了成分、结构、光学和电学性质表征.发现在不同沉积温度下可分别得到六方相和立方相的ZnSe,掺杂后的薄膜光学吸收边发生变化,并得到了N型和P型导电的薄膜,掺杂薄膜的暗态电导率随温度的变化偏离了Arrhenius关系,表明杂质的引入影响了ZnSe的电学性质.

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