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高密实率Cu(In,Ga)Se2陶瓷靶材制备和性能研究

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摘要

采用热压烧结Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3混合粉末的方法制备CIGS四元陶瓷靶材.考察了烧结温度、压力对靶材的相组成、形貌、成份的影响.实验结果表明,在烧结温度较低时,首先获得CuInSe2三元黄铜矿相结构,随着烧结温度的升高,Ga元素不断向CIS中扩散,并获得均质的CIGS四元靶材.通过增大烧结压力,可以提高靶材密度.烧结时间的延长,对靶材的密实率没有明显影响.在烧结温度900,烧结压力45MPa的条件下,获得了超过96％的靶材密实率.

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来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|70-74|共5页
会议地点北京
作者
李晓龙; 庄大明; 赵明; 刘江; 谢敏; 曹明杰; 欧阳良琦; 郭力;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
铜铟镓硒陶瓷靶材; 热压烧结工艺; 参数优化; 理化性质;

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