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异质结电池衬底表面陷光研究

摘要

异质结(HIT)太阳电池作为备受关注的新型高效太阳电池,它是在单晶硅表面沉积非晶硅薄膜制备而成的,所以将绒面结构的单晶硅衬底用于HIT太阳电池,可以增强电池的光吸收效率.本文通过化学湿法腐蚀对单晶硅衬底表面进行制绒,研究并优化IPA浓度和时间,并在N型单晶硅衬底上反射率在波长为1011nm处最初的34.5%降低到了9.44%.

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