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基于MOCVD ZnO和溅射后腐蚀ZnO衬的高速率单结微晶硅太阳电池的陷光研究

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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,分别采用MOCVD ZnO:B以及溅射后腐蚀Zn0:Al作为衬底,研究其对微晶硅太阳电池的陷光增强作用.通过对衬底表面形貌、光学特性以及μc-Si:H电池特性的分析表明,MOCVD ZnO:B表面小横向尺寸结构可有效增强微晶硅太阳电池的短波响应,而溅射后腐蚀ZnO:Al表面的大横向尺寸结构则可显著提升其长波响应.

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来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|344-347|共4页
会议地点北京
作者
白立沙; 刘伯飞; 赵慧旭; 张德坤; 魏长春; 孙建; 赵颖; 张晓丹;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.41:TM910.5;
关键词
微晶硅薄膜太阳电池; 等离子体增强化学气相沉积工艺; 甚高频技术; 陷光结构; 物理性能;

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