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缓蚀剂BTA在铜CMP中的作用机理

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苯并三唑(BTA)作为铜CMP抛光液中最常用的缓蚀剂,其作用机理已经得到了广泛研究,但是如何把这些特性与CMP有效结合,还有待进一步研究.本文通过铜在不同pH值抛光液中静态腐蚀实验,研究BTA在铜表面的吸附机制,并采用XPS和拉曼光谱测量腐蚀后铜表面的化学成分.结合CMP实验结果,分析使用不同pH值抛光液时CMP的材料去除机理.结果表明,在酸性抛光液中,BTA以化学反应为主,铜表面形成了含有铜氧化物、BTA吸附膜和Cu-BTA聚合物的混合膜;而在碱性条件下,铜表面保护膜由铜氧化物和BTA的化学吸附膜组成.由于BTA在不同pH值抛光液中的作用机理不同,导致了CMP过程中的摩擦系数和材料去除率发生相应的变化.

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来源
《2013年海峡两岸平坦化技术研讨会》|2013年|216-225|共10页
会议地点天津
作者
Jing Li; 李静; Xinchun Lu; 路新春;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN47:TN405.2;
关键词
极大规模集成电路; 机械化学抛光工艺; 铜材料; 苯并三唑缓蚀剂;

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