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化学机械抛光后清洗中颗粒去除及设备改进

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使用100nm荧光颗粒作为脏污颗粒,利用自制PVA (polyvinyl alcohol)刷擦洗机,研究了颗粒去除效率与设备各工艺参数之间关系.在630倍放大倍数下能够通过荧光显微镜观察到100nm荧光颗粒所发出荧光,而且样品表面颗粒没有团聚现象,使用荧光显微镜和Image Pro Plus软件对表面颗粒进行计数.研究发现,随着清洗时间、晶圆转速和PVA刷转速的增加,颗粒去除效率都在增加,而对单片晶圆内各区域的清洗发现,晶圆中心区域的颗粒去除效率要比边缘区域要高,并给出了此现象的理论解释.通过改进PVA刷擦洗机液体输送结构,解决了各区域清洗效率不均匀问题,从而提高了设备生产能力.

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来源
《2013年海峡两岸平坦化技术研讨会》|2013年|196-206|共11页
会议地点天津
作者
Hegeng Mei; 梅赫赓; Tongqing wang; 王同庆; Xinchun Lu; 路新春;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类表面处理;
关键词
半导体工业; 化学机械抛光工艺; 表面颗粒; 去除效率; 设备管理;

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