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A/D转换器总剂量效应试验研究

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该文介绍了CMOS模数混合电路的总剂量效应研究，以逐次逼逝型转换器ADC0809为试验样品，辐照源为Co-60γ射线源。通过试验研究，获得了ADC0809总剂量损伤阈值和ADC0809参考电压、输入－输出特性随总剂量、剂量率变化曲线。分析了逐次逼近型模数转换器的电离辐射损伤机制，给出了ADC0809器件总剂量失效模式，第一，电离辐射使器件内部模拟单元发生变化，在比较器输入端引入噪音，使运算放大器失调增加，共模电压范围变窄，共模抑制比下降。第二，辐射引起器件内部数字功能电路中MOSFET阈值电压漂移，导致整个器件功能失效。

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来源
《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|1999年|109-119|共11页
会议地点扬州
作者
曹洲; 颜则东; 敬辉; 邵航;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类辐射剂量学;
关键词
模数转换器; 总剂量效应; γ射线;

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