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纳米硅量子线的发光特性研究

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利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法,制备出纯度极高、直径分布均匀(13nm左右)的硅的一维量子线.光致发光(PL)测量显示,在313.5nm激光激发下,室温下硅量子线具有红绿蓝三色发光.对硅量子线进行氧化处理后,随氧化时间的增加,红光PL峰发生蓝移,而绿、蓝峰没有移动.红光PL与量子尺寸限制效应有关,而绿、蓝光PL来源于表层氧化硅中的缺陷发光.

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来源
《第二届海内外中华青年学者材料科学技术研讨会暨第七届全国青年材料科学研讨会》|2000年|569-571|共3页
会议地点杭州
作者
俞大鹏;
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作者单位

中国材料研究学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类硅及其无机化合物;特种结构材料;
关键词
纳米硅; 量子线; 光致发光; 量子限制; 高分辨电镜; 脉冲激光蒸发; 高温物理升华; 光致发光; 硅基低维材料;

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