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电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管

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摘要

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm<'2>/V·s,开关态电流比为5×10<'6>.

著录项

来源
《第五届中国功能材料及其应用学术会议》|2004年|1172-11751179|共5页
会议地点秦皇岛
作者
曾祥斌; 孙小卫; 李俊峰; 齐国钧;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国金属学会;

中国稀土学会;

中国复合材料学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;TN304.055;
关键词
电场增强晶化; 多晶硅薄膜; 金属诱导晶化; 薄膜晶体管;

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