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孙聂枫; 周晓龙; 孙同年; 杨瑞霞; 张伟玉;
中国科学技术协会;
磷化铟单晶; 高压液封直拉法; 单晶生长;
机译:块状单晶生长过程中位错密度的有限元分析(InP单晶中掺杂原子的影响)
机译:LEC法生长的热应力模拟和界面失稳铟
机译:通过热氧化在INP单晶表面上生长的薄膜的气体感测性能
机译:磷蒸气控制LEC法的低位脱位密度InP单晶的生长
机译:使用同步加速器白束X射线形貌研究CdZnTe和InP单晶中的缺陷生成。
机译:InP在低至220°C的低温下形状受控的InP单晶生长
机译:用可变混合物(INP,GaAs,GaN,SiC)对单晶表面生长在单晶表面上的ZnO原子排序的影响
机译:通过取向依赖的VpE在介电薄膜上横向生长单晶Inp
机译:InP单晶晶片和InP单晶的制造方法
机译:Inp单晶晶片和Inp单晶制造方法
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