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高热稳定性多发射极功率SiGe HBT的研制

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成功研制出具有非均匀发射极条间距结构的多发射极功率SiGe异质结双极晶体管(HBT),用以改善功率器件热稳定性。实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距结构HBT相比,非均匀发射极条间距结构HBT的峰值结温降低了15.87K。对于同一个非均匀发射极条间距结构SiGe HBT,在不同偏置条件下均能显著改善有源区温度分布。随着偏置电流I<,c>的增加,非均匀发射极条间距结构SiGe HBT改善峰值结温的能力更为明显。由于峰值结温的降低以及有源区温度分布非均匀性的改善,非均匀发射极条间距功率SiGe HBT可以工作在更高的偏置条件下,具有更高的功率处理能力。

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来源
《2007'信息与通信工程、电子科学与技术、计算机科学与技术、机械工程全国博士生学术论坛》|2007年|177-180|共4页
会议地点西安
作者
金冬月; 沈珮; 张万荣; 王扬; 沙永萍; 何莉剑; 张蔚; 谢红云;
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作者单位

国务院学位办;

教育部;

西安电子科技大学学报;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8;
关键词
SiGe; 异质结双极晶体管; 功率;

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