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生长条件对MOCVD外延生长AlInN薄膜的影响

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采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术以GaN为衬底在不同生长温度和生长压力下生长了AlInN薄膜。利用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和在位检测系统对AlInN的生长和结构进行了研究。结果表明:随着生长温度的升高,AlInN的生长速率降低,In含量降低；而随着生长压力的降低,AlInN的生长速率增大,In含量增加,且AlInN组分的不均匀性会减弱。AlInN的晶体质量随着生长温度的提高或生长压力的降低而提高,除了最低的生长压力外。此外,随着生长温度的提高或生长压力的降低,AlInN的表面会变平坦,这与表面吸附的Al原子的迁移能力增强有关。

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来源
《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2008年|653-656|共4页
会议地点广州
作者
卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 杨辉;
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作者单位

中国电子学会;

广州市科协;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;TN304.26;
关键词
化学气相沉积法; 外延生长; AlInN薄膜; 生长温度; 表面迁移能力;

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