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应变Si沟道nMOSFET阈值电压特性研究

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本文在研究分析驰豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系。分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低。该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考。

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来源
《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2008年|922-924|共3页
会议地点广州
作者
张志锋; 张鹤鸣; 胡辉勇; 宣荣喜; 宋建军;
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作者单位

中国电子学会;

广州市科协;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类硅栅器件;
关键词
应变硅器件; 驰豫SiGe衬底; nMOSFET阈值电压模型;

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